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산하는 방법을 사용한다. 양이온의 수가 많을수록 이온전류가 증가한다. 보통 torr에서 torr 정도에서 사용을 하고 있다.
※ Magnetron Sputtering에 대해 알아보자.
글로방전 스퍼터링 쳄버의 Ar 압력은 방전을 유지하기 위해서 ~torr로 높고, 평균 자
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가스의 양을 조절하지 못했다는 점 또한 오차를 만든 것 같다. 다음번에는 이러한 오차원인들을 좀 더 따져보고 좀 더 적극적으로 시험에 참가 하고 싶다. 1.스퍼터링의 목적
2.실험도구
3.이론
4. 실험방법
5. 실험결과
6. 고찰
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sputtering 발생, cascade형성, gas atom과 불순물 포함
b) vacancy같은 점 결함이 표면 아래 형성되어 잔류 응력 증가, 전위 생성, void 생성
c) 기판에서 구성요소의 sputtering yield가 다양해져 non-stoichiometric 막을 형성한다.
d) 증착전에 기판 cleaning을 위해
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Sputtering의 종류
① DC sputtering :
② RF sputtering
③ reactive sputtering
④ magnatron sputtering
○ RF sputtering
① Self bais :
● Hybrid and modified PVD Processes
․ Ion Platind 법
● PVD박막의 비교
● ARC PLASMA DEPOSITION
● CVD의 종류
■ 유전체의 범주
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Sputtering이다.
스퍼터링 장치의 구성
≪ 그 림 ≫
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진공챔버, 파워서플라이,펌프,가스제어부
모래시계: 밸브
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sputtering 한 후 시료의 두께가 대략 50nm 5nm가 되도록 증착하였다.
1-2. 전기적 특성 평가 (I-V)
NiO 박막의 스위칭 특성을 보기 위해서 혼합가스의 산소비를 0%~6% 로 증착하였다. 이렇게 증착한 박막을 400~700℃ 각각 열처리를 한 후 I-V를 측정하였다.
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