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스퍼터링
이 장치는 DC 스퍼터링 장치와 비슷하지만 cathode에는 영구 자석이 장착되어 target 표면과 평행한 방향으로 자장을 인가해 준다. 이러한 영구 자석이 장착되어 있는 target을 magnetron target이라고 한다.
DC 스퍼터링 장치에서 target에 이온
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은 극성을 바꾸어 실시하여 그 평균값을 취한다. 단결정 시료의 저항률은 다음식으로 산출
한다. 1. 스퍼터
1.1 개념
1.2 원리
1.3 증착 방법
1.4 조작방법
1.5 장비
2. 포포인트 프로브(4point probe)
2.1 원리
2.2 용어 및 정보
2.3 측정조건
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스퍼터링 방법으로 증착을 한다.-10분간의 프리 스퍼터로 샘플에 Ti를 증착시킨다.
기판의 온도를 상온에 유지한 상태로 기판과 타겟간의 거리를 고정 한다.
균일한 박막의 증착을 위하여 기판을 일정한 속도로 회전 시킨다.
공
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스퍼터 증착(Sputter deposition)
(1) 스퍼터링의 정의
스퍼터링은 높은 에너지를 갖는 미립자들에 의한 충돌에 의해 타겟(target)이라고 불리워지는 물질의 표면으로부터 원자들이 떨어져나오는 메커니즘으로 설명되어질 수 있다. 이 증착 방법은 Al,
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스퍼터링과의 차이점
Ⅰ. 진공 증착시에는 도가니가 용해되어 막 내로 섞이는 경우가 있으나, 음극 스퍼터링의 경우에는 그 런 염려가 없다.
Ⅱ. 진공 증착시 녹는점이 높으면 그를 용해시킬 도가니를 선택하기 곤란하다. 그러나 이 음극 스퍼
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타겟 배면에 자석을 부착하여 전기장에 수직한 자기장을 형상함으로서 전자들의 운동을 타겟 주위로 구속하고 이동경로를 길게 함으로써 스퍼터링 효율을 높이는 것이 마그네트론 스퍼터링의 원리이다.
NiO 박막을 RF 마그네트론 스퍼터를
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