[신소재공학] Sputtering을 이용한 Ti 증착(요소설계) - 반도체 형성 원리에 대해

소개글

[신소재공학] Sputtering을 이용한 Ti 증착(요소설계) - 반도체 형성 원리에 대해에 대한 보고서 자료입니다.

목차

실험 목적

실험 이론

실험 방법

결과 및 토의

본문내용

3. 실험 방법
준비된 실리콘 웨이퍼를 로드락 챔버에 로딩
샘플 메인 쳄버에 로딩
주 공정챔버 :3x10-6torr 이하로 진공 분위기 만듬
MFC 밸브를 통해 working pressure 조절
RF power(전압)를 100W로 조절하여 Ar plasma 형성
체임버내에 주입되는 가스량은 15sccm이다.
 기판의 온도를 상온에 유지한 상태로 기판과 타겟간의 거리를 고정 한다.
Ar 가스를 이용해 RF & DC 스퍼터링 방법으로 증착을 한다.-10분간의 프리 스퍼터로 샘플에 Ti를 증착시킨다.
기판의 온도를 상온에 유지한 상태로 기판과 타겟간의 거리를 고정 한다.
 균일한 박막의 증착을 위하여 기판을 일정한 속도로 회전 시킨다.  
공정압력을 1mtorr, 4mtorr, 7mtorr, 10mtorr로 변화시켜서 Si위에 Ti를 증착을하면 Thickness와 Resistivity 결과값을 얻을 수 있다

키워드

신소개공학,   Sputtering,   Ti 증착,   반도체