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[신소재공학] Sputtering을 이용한 Ti 증착(요소설계) - 반도체 형성 원리에 대해

3. 실험 방법 준비된 실리콘 웨이퍼를 로드락 챔버에 로딩 샘플 메인 쳄버에 로딩 주 공정챔버 :3x10-6torr 이하로 진공 분위기 만듬 MFC 밸브를 통해 working pressure 조절 RF power(전압)를 100W로 조절하여 Ar plasma 형성 체임버내에 주입되는 가스량

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등록일 2014.08.01
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