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증착을 한다.-10분간의 프리 스퍼터로 샘플에 Ti를 증착시킨다.
기판의 온도를 상온에 유지한 상태로 기판과 타겟간의 거리를 고정 한다.
균일한 박막의 증착을 위하여 기판을 일정한 속도로 회전 시킨다.
공정압력을 1mtorr, 4mtor
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Sputtering을 이용한 Ti 증착
1. 실험 목적
Working pressure를 변화 시킬 때 두께와 저항의 변화를 그래프를 이용해 분석하여 Working pressure와 두께, 저항의 관계를 알아본다.
2. 실험 이론-Sputter의 원리
≪ 그 림 ≫
구슬치기의 원
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증착법(LPPD법)
i) 플라스마 건 가열방법
j) 이온빔 증착법
참고문헌
* 금속 표면 처리, 문운당, 2004
* 기전연구사 편집부역, 도금 기술 매뉴얼, 기전 연구사
* 김선규, 표면코팅기술, 도서출판 명현, 2000
* 이홍로, 표면 공학, 형설 출판사, 2003
* 이
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및 어닐링(Annealing)
박막 증착의 기술 및 공정
- 개요
1. 기화법 (Evaporation)
2. 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition)
(1) CVD 장치
(2) 박막 성장 메커니즘
3. 스퍼터 증착(Sputter deposition)
(1) 스퍼터링의 정의
(2).스퍼터링의 종류
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공학, 복두출판사, 1995, pp.218
4. 김형열, 반도체 공정 및 측정 , 전자자료사, 1995, pp.123
5. 이종덕, 실리콘집적회로 공정기술, 대영사, 1997, pp.149
6.반도체 산업 및 반도체 재료 산업의 실태와 전망, 데이콤 산업연구소,1998,pp.117 단결정 성장공정
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