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공정의 일부만을 선택하여 실험하였다. 우리가 한 실험은 세정→ 증착→ PR도포→ Pre bake→ 노광→ 현상 →Rinse→ Post bake→ Etching 과정을 하였다.
증착과정에서 sputter를 이용하여 Ar기체가 플라즈마 상태가 되어 Cu원자와 탄성충돌, 그 결과 구
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플라즈마 발생 메커니즘
1) DC 방전 (DC Discharge)
(1) 파센 법칙(Pachen’s Law)
(2) DC 글로우 방전의 특성
2) 라디오 주파수 방전(Radio Frequency Discharges)
3) 마이크로파 플라즈마(Microwave plasmas)
5. 금속을 함유한 원료의 플라즈마 처리 공정
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이후로는 Etching이 더 이상 진행하지 않을것이라고 예상한다.
6. 참고문헌
반도체 공정실험 Dry Etching 수업자료 PDF
화학용어사전 - 화학용어사전 편찬회, 윤창주, 2011. 1. 15, 일진사
반도체 공정플라즈마의 현황과 전망 한국물리학회 , 장홍영
바
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플라즈마의 적용분야
6.저온 플라즈마의 적용분야
7.열플라즈마 재료합성
8.환 경 분 야
9. 소각재 재처리 기술
7. 플라즈마기술의 응용분야
(1) 해리 공정
(2) 휘말과 승화 공정
(3) 염화, 산화, 배소 공정
(4) 환원 공정
(5) 재용해
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공정을 통해 이루어진다
소자층에 흠을 내지 않고 포토레지스트를 제거하는데 고온의 플라즈마가 사용된다. 이는 산소플라즈마 체계에서의 레지스트를 산화(태우는)시킴으로써 레지스트를 부풀리거나 들어올리는 화학적 작용에 의해서 이
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플라즈마공정으로 나노 미터크기의 분말을 제조하여 대학시절에 했던 프로젝트에 대한 연구의 적용을 해보는 기회를 갖고 싶습니다. * 아래의 각 항목에 대하여 상세히 기재
◈ 1. 성장과정 (학교생활)
◈ 2. 성격 / 생활신조
◈ 3.
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플라즈마 밀도에 모두 영향을 미치기 때문에, 작은 변화만으로도 결과에 큰 영향을 줍니다. 실제 실험에서도 압력 제어가 가장 민감하게 작용했고, 가장 정밀한 컨트롤이 필요하다는 것을 체감했습니다.
6. PSK에서 이루고 싶은 공정개발자의
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공정 장비의 구조와 작동 원리를 체득했습니다. 가스 주입, 플라즈마 전력 제어, 챔버 내 압력 조절 등 하드웨어 요소 간의 상호작용을 학습하며, 각 파라미터가 공정에 미치는 영향을 정리했습니다. 이를 통해 설비의 구조와 공정 변수 사이
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플라즈마 공정 장비 최적화 연구를 수행하며, 설비의 균일성 개선 및 유지보수 기술을 연구한 경험이 있으며, 이를 바탕으로 삼성전자에서도 생산 설비 최적화 연구를 수행할 수 있습니다. 2025 삼성전자 DS부문 CTO-반도체연구소-설비기술
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플라즈마 공정 장비 최적화 연구를 수행하며, 설비의 균일성 개선 및 유지보수 기술을 연구한 경험이 있으며, 이를 바탕으로 삼성전자에서도 생산 설비 최적화 연구를 수행할 수 있습니다. 2025 삼성전자 DS부문 TSP총괄-설비기술 자기소개
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