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반도체 산업 및 반도체 재료 산업의 실태와 전망, 데이콤 산업연구소,1998,pp.117 단결정 성장공정
연마공정
Epitaxial 공정
노광공정
박막형성공정
현상액도포공정
노광공정
에칭공정
Resist 제거공정
확산공정
배선공정
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도핑하게 되면 공핍층이 좁아져 터널링 현상이 발생.
④ Threshold voltage 조절: 반도체 소자마다 문턱전압 값을 조절할 수 있다. 1. 반도체 소자 및 IC 개요
2. 웨이퍼 및 마스크 제조
3. FAB 공정
4. PHOTO, ETCH 공정
5. Doping 공정
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●에칭이란?
기판에 회로 패턴을 만들어주기 위해 화공약품이나 부식성 가스를 이용해 필요 없는 부분을 선택적으로 없애는 과정
●등방성에칭
일차적으로 반도체 물질들을 산화시킨 후 그 산화물을 식각하는 방법
●이방성에칭
결정
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활성종을 에칭재료 표면의 원자와 반응시켜 휘발성의 반응생성물을 생성시키고, 이것을 재료 표면에서 이탈시켜 에칭하는 기술이다. 이 기술은 반도체 소자 초미세 가공과정의 기본기술로 확립되어 있다. RIE 기술은 보통 크리닝, 디스컴등에
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반도체 레이저 다이오드개발현황,서상희,김진상,임성울 한국과학기술연구원 정보전자연구부, 1993.9.10
산화물반도체의 전기적 특성에 미치는 열처리 효과, 김용운 세경대학 전기전자계열
유기반도체에 대한 연구 논문, 박진호, 영남대학교 응
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