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때문에 초대규모 집적 회로(VLSI) 등 정밀도가 높은 미세 가공에 적합하다.
2. SIMOX
SIMOX방식 ☞ 산소의 주입에 의한 분리 방식
실리콘 웨이퍼의 표면에서 실리콘의 1. RIE
2. SIMOX
3. LOCOS
4. RTA
5. MOCVD
6. LPCVD
7. CMP
♨ 참고 문헌 ♨
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증착
3.1. 증착의 정의
3.2. 증착의 종류
3.3. 증착의 요구 조건
4. PVD
4.1. PVD의 정의
4.2. PVD의 특성
4.3. 진공증착법
4.3.1. 진공증착법-열 증발 증착법(순수저항이용)
4.3.2. 진공증착법-열 증발 증착법(유도열이용)
4.3.3. 진공증착법-전
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RIE의 장비들을 실제로 볼 수 있어서 유익한 시간이었다. 특히 RIE는 인상적이었는데 진공으로 뽑는 부분을 실제로 확인할 수 있었고 에칭시간이 생각보다 짧다는 것이 놀라웠다. RIE에 들어가는 가스도 그렇고 실험실에서 쓰이는 대부분의 용
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화학반응 공정 - 산화(oxidation) 공정
반도체 제조의 주요 화학반응 공정 - 화학기상증착(CVD) 공정
CVD 반응장치
에피택시(Epitaxy) 공정
* 액상 에피택시(LPE)
* 기상 에피택시(VPE)
식각(Ecthing) 공정
*건식 식각(dry etching)
웨이퍼 세정(wafer cleaning)
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1. 화학기상증착(CVD)법
- 화학기상증착(CVD)은 여러가지 물질의 박막제조에 있어서 현재 가장 널리 쓰이고 있는 방법이다. 간단히 말하면 반응기체의 유입 하에서 가열된 substrate 표면에 화학반응에 의해 고체 박막이 형성되는 것을 일컫는데,
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법 ‥‥‥‥‥·‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥4
(1) 초저압 화학기상 증착법
(2) 열처리에 의한 재결정법
(3) 직접 증착법
(4) 엑시머 레이저 열처리법
ELA 방법에 의한 다결정 실리콘‥‥‥‥‥‥
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처리 방법과 adhesion layer 증착법이 있었는데, adhesion layer와 촉매를 하나의 장비에서 연속적으로 증착이 가능하므로 공정의 효율성을 고려하여 adhesion layer 증착법을 선택했습니다. 또한, 물질로는 OO 또는 XX이 있었는데, XX은 OO와는 다르게 촉매
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증착법에서 아이디어를 얻어 연구실 내 감압장치를 활용하고 해결할 수 있었습니다. 이는 마이크로 단위 유체에서 기포를 제거하기 위해 상대적 소수성 성질을 활용할 수 있었던 성공 요인으로 뽑혔습니다. 1. 삼성전자를 지원한 이유와
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증착 등 여러 공정을 직접 진행해보면서 반도체 공정에 대한 이해를 높였습니다. 식각 공정에서는 ICP-RIE를 사용하여서 Etch를 진행하였고 장비에서 파라미터를 변화시켜 이에 따른 웨이퍼의 특성변화를 측정할 수 있었습니다. 이를 통해 Etch ra
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