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증착을 한다.-10분간의 프리 스퍼터로 샘플에 Ti를 증착시킨다.
기판의 온도를 상온에 유지한 상태로 기판과 타겟간의 거리를 고정 한다.
균일한 박막의 증착을 위하여 기판을 일정한 속도로 회전 시킨다.
공정압력을 1mtorr, 4mtor
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Sputtering을 이용한 Ti 증착
1. 실험 목적
Working pressure를 변화 시킬 때 두께와 저항의 변화를 그래프를 이용해 분석하여 Working pressure와 두께, 저항의 관계를 알아본다.
2. 실험 이론-Sputter의 원리
≪ 그 림 ≫
구슬치기의 원
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Ti 박막 두께에 따른 삽입 손실
전기·기계적 결합 계수가 매우 작은 Quartz(0.16%)를 기판으로 한 SAW Filter는 Ti 박막의 두께가 50Å, 100Å인 경우 Al 전극만 증착한 SAW Filter에 비해 삽입 손실의 변화가 거의 없었다. Table 6은 LN 128°Y-X 기판을 사용하
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증착속도, 이온 전류밀도, 이온 대 Ti원자비, resputtering속도의 다양성
① 이온 전류 밀도(그림 b) : 매우 급격히 증가하다가 Vs가 -100∼-500V 사이에서 0.6∼0.8mA/cm2에서 유지
② 보통의 magnetron - 증착된 atom 당 0.3∼0.4 이온의 이온 충돌 유속
③ unbalan
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Ion plating (이온 도금)
- Comparison of sputtering
PVD (Physical Vapor Deposition) 란 ?
PVD 공정은 생성하고자 하는 박막과 동일한 재료(Al, Ti, TiW, W, TiN, Pt 등)의 입자를 진공 중에서 여러 물리적인 방법에 의하여 기판 위에 증착시키는 기술을 말한다.
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