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은 극성을 바꾸어 실시하여 그 평균값을 취한다. 단결정 시료의 저항률은 다음식으로 산출
한다. 1. 스퍼터
1.1 개념
1.2 원리
1.3 증착 방법
1.4 조작방법
1.5 장비
2. 포포인트 프로브(4point probe)
2.1 원리
2.2 용어 및 정보
2.3 측정조건
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스퍼터링
이 장치는 DC 스퍼터링 장치와 비슷하지만 cathode에는 영구 자석이 장착되어 target 표면과 평행한 방향으로 자장을 인가해 준다. 이러한 영구 자석이 장착되어 있는 target을 magnetron target이라고 한다.
DC 스퍼터링 장치에서 target에 이온
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스퍼터법을 이용하여 ITO를 유리판에 박막을 입히는 실험을 하였다. 이 실험도 P.V.D와 같이 일반 금속이 아닌 ITO를 사용하였으며, 이에 RF 고주파를 사용하여 유리판에 증착을 시켰다. 원래 쓰던 P.V.D방법에 의하면 고주파를 직접적으로 쏘아주
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스퍼터 증착(Sputter deposition)
(1) 스퍼터링의 정의
스퍼터링은 높은 에너지를 갖는 미립자들에 의한 충돌에 의해 타겟(target)이라고 불리워지는 물질의 표면으로부터 원자들이 떨어져나오는 메커니즘으로 설명되어질 수 있다. 이 증착 방법은 Al,
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스퍼터(reactive sputter) 식각, 반응이온빔 밀링, 전자나 광자 유발(electron or photon assisted) 화학적 건식 식각 등이 여기에 속한다. 또한 최근에는 반응기 내의 플라즈마 밀도를 증가시키기 위해 자계(magnetic field)도 전계와 같이 활용하는 식각 기술
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타겟 배면에 자석을 부착하여 전기장에 수직한 자기장을 형상함으로서 전자들의 운동을 타겟 주위로 구속하고 이동경로를 길게 함으로써 스퍼터링 효율을 높이는 것이 마그네트론 스퍼터링의 원리이다.
NiO 박막을 RF 마그네트론 스퍼터를
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