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정보저장기기의 매우 중요한 분야인 자성을 이용한 기록/저장방식으로의 자기헤드기술과 자기기록매체기술, 그리고 비휘발성 MRAM소자에 대한 고찰을 통해 앞으로의 기술발전 전망을 하고자 한다. 1.서론
2.자기를 이용한 초고밀도 기록
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정보저장을 용이하게 할 수 있도록 했다.
게다가 디지털 가전의 이룩은 HDD의 응용시장을 더욱 확대하고 있다. 이를 지탱하는 초고밀도 자기 기록의 요소 기술은 미세 패턴 가공일 뿐만 아니라, 초박막 인공 격자기술을 사하는 시대에 변모하
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기기로 응용할 수 있다.
전력케이블, 발전기, 변압기, 차단기 등에 상전도 코일 대신 초전도코일을 사용하게 되면 기본적인 설계부터 초소형, 고효율의 전력기기들을 만들 수 있다. 또한 초전도 전력저장(SMES)을 이용하면 각 지역 또는 대륙에
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자성체-반도체 하이브리드 소자와 같은 신개념 소자에 대한 산업적 가능성은 매우 크다. 중단기적으로 볼 때, 스핀트로닉스 기술은 정보저장, 재생 및 인지기능 산업의 응용에 중추적 역할을 할 것이며, 나노기술의 발전과 더불어 장기적으로
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박막의 물성
6. 대표적인 강유전 박막과 신소재의 개발
7. FRAM의 종류
8. 박막의 필요성과 방법
Ⅲ. MRAM (Magnetic Random Access Memory)
1. 자기기록기술
2. 자기저항 (magnetoresistance)
3. 자기저항 메카니즘
4. MRAM이란
5. MRAM의 기본 원리
6. MRAM의 구
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