
-
1
-
2
-
3
-
4
-
5
-
6
-
7
-
8
-
9
-
10
-
11
-
12
-
13
-
14
-
15
-
16
-
17
-
18
-
19
-
20
-
21
-
22
-
23
-
24
-
25
-
26
-
27
-
28
-
29
-
30
-
31
-
32
-
33
-
34
-
35
-
36
-
37
-
38
-
39
-
40
-
41
-
42
-
43
-
44
-
45


목차
기 업 개 요
-기업 소개
-기업 연혁
- SWOT 분석
하이닉스의 구조조정 과정
1. 반도체 산업의 형성
2. IMF 와 정부빅딜
3. 반도체 시장의 침체와 하이닉스 구조조정
4. 구조조정 전략
향후 전략 방안
-기업 소개
-기업 연혁
- SWOT 분석
하이닉스의 구조조정 과정
1. 반도체 산업의 형성
2. IMF 와 정부빅딜
3. 반도체 시장의 침체와 하이닉스 구조조정
4. 구조조정 전략
향후 전략 방안
본문내용
기 업 연 혁
하이닉스 반도체 회사는…
1983년 2월 현대전자산업주식회사로 출발
1996년 기업공개 및 상장
1999년 LG반도체 흡수 합병 세계 최대 DRAM 생산능력 확보
현재 총 1만1000여명의 종업원
서울 영동사옥(영업, 재무, 회계, IR), 이천 본사(R&D, 생산, 인사),
청주, 구미 사업장(샌산), 미국 오레곤주 유진공장(생산)
세계적인 반도체 전문기업
사업영역 : DRAM, SRAM, FLASH
하이닉스 반도체 연혁
▶ 1983.02 현대전자산업주식회사 창립
▶ 1986.04 반도체 연구소 설립
▶ 1995.08 미국 오레건주 반도체공장 설립
▶ 1999.10 LG반도체㈜ 흡수 합병
▶ 2001.08 현대그룹서 계열분리 확정
▶ 2001.12 그래픽용 128M DDR SDRAM 세계최초 출시
▶ 2003.03 업계 최초 메가급 Fe램 상용화 기술 개발
▶ 2004.02 낸드 플래시 메모리 개발 성공
▶ 2004.03 업계 최초로 초고속 DDR SD램 550MHz개발
▶ 2004.11 STMicro사 중국 현지합작공장 설립을 위한 본계약 체결
하이닉스 반도체 회사는…
1983년 2월 현대전자산업주식회사로 출발
1996년 기업공개 및 상장
1999년 LG반도체 흡수 합병 세계 최대 DRAM 생산능력 확보
현재 총 1만1000여명의 종업원
서울 영동사옥(영업, 재무, 회계, IR), 이천 본사(R&D, 생산, 인사),
청주, 구미 사업장(샌산), 미국 오레곤주 유진공장(생산)
세계적인 반도체 전문기업
사업영역 : DRAM, SRAM, FLASH
하이닉스 반도체 연혁
▶ 1983.02 현대전자산업주식회사 창립
▶ 1986.04 반도체 연구소 설립
▶ 1995.08 미국 오레건주 반도체공장 설립
▶ 1999.10 LG반도체㈜ 흡수 합병
▶ 2001.08 현대그룹서 계열분리 확정
▶ 2001.12 그래픽용 128M DDR SDRAM 세계최초 출시
▶ 2003.03 업계 최초 메가급 Fe램 상용화 기술 개발
▶ 2004.02 낸드 플래시 메모리 개발 성공
▶ 2004.03 업계 최초로 초고속 DDR SD램 550MHz개발
▶ 2004.11 STMicro사 중국 현지합작공장 설립을 위한 본계약 체결