본문내용
상태로 되면 다른 한쪽은 통전 상태로 된다. 입력 전압이 없을 때는 TR1은 차단상태이고, TR2의 베이스에는 TR1의 컬렉터 전압이 두 개의 저항으로 분압되어 걸리므로 포화 상태가 되어 통전 상태가 된다. 입력 전압이 높아지면 TR1이 통전 상태가 되면서 컬렉터 전압이 낮아져서 TR2는 차단 상태가 된다.
< 슈미트 트리거 회로 >
슈미트 트리거 회로는 아래 그림과 같은 히스테리스 현상이 나타내며, 집적 회로는 SN 7414가 있다. 슈미트 트리거 회로의 출력은 입력과 반대이고, 단안정 멀티바이브레이터와 같이 동작하도록 변경시킬 수도 있다. 이 회로는 NAND 게이트 입력이 상한 전압보다 낮으면 출력이 높은 상태에 머무르게 되고, 상한 전압에 이르면 출력 전압이 낮아져서 하한값까지 방전되었다가 다시 높은 상태로 전환되는 성질을 이용한 것이다.
< 슈미트 트리거 곡선과 기호 >
< 슈미트 트리거를 사용한 시간 회로 >
3. 실험 기계 및 부품
1) DC power supply
2) Oscilloscope
3) AF Generator
4) IC : μA 741 - 1
5) 저항 : 1 kΩ - 1
2 kΩ - 1
10 kΩ - 2
4. 시뮬레이션
< 슈미트 트리거 회로 >
슈미트 트리거 회로는 아래 그림과 같은 히스테리스 현상이 나타내며, 집적 회로는 SN 7414가 있다. 슈미트 트리거 회로의 출력은 입력과 반대이고, 단안정 멀티바이브레이터와 같이 동작하도록 변경시킬 수도 있다. 이 회로는 NAND 게이트 입력이 상한 전압보다 낮으면 출력이 높은 상태에 머무르게 되고, 상한 전압에 이르면 출력 전압이 낮아져서 하한값까지 방전되었다가 다시 높은 상태로 전환되는 성질을 이용한 것이다.
< 슈미트 트리거 곡선과 기호 >
< 슈미트 트리거를 사용한 시간 회로 >
3. 실험 기계 및 부품
1) DC power supply
2) Oscilloscope
3) AF Generator
4) IC : μA 741 - 1
5) 저항 : 1 kΩ - 1
2 kΩ - 1
10 kΩ - 2
4. 시뮬레이션