실리콘과 게르마늄 다이오드 결과보고서

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문에 문턱전압으로 보이는 지점을 찾을 수가 없었다. 이론적으로 게르마늄의 문턱전압이 0.3V임을 고려해 볼때 실험 결과값과 이론값이 차이가 많다는 것을 알 수 있다. 정확한 실험을 하였다면 실험결과값은 다음과 같이 나왔을 것이다.
게르마늄과 실리콘 다이오드의 문턱전압이 다른 이유
실험결과 실리콘과 게르마늄의 문턱전압이 다르다는 결과를 확인할 수 있었다. 실리콘과 게르마늄으로 다이오드를 만들 때 다이오드는 p와 n극으로 나뉘어 진다 이것은 첨가하는 불순물의 차이인데 5족과 3족 그리고 p와 n 극으로 나누기 전에 진성 반도체(불순물이 하나도 없는 순수한 반도체)내의 전자수가 게르마늄이 거의 1000 배정도 많기 때문에 초기값(문턱전압)에서부터 게르마늄은 실리콘보다 전류가 흐르기 시작하는 문턱전압이 낮다

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실리콘,   게르마늄,   다이오드,   결과보고서