반도체 제조공정

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반도체 제조공정에 대한 보고서 자료입니다.

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본문내용

이온주입 (ION IMPLAN-TATION)공정
회로패턴과 연결된 부분에 불순물을 미세한 GAS입자 형태로 가속하여 웨이퍼의 내부에 침투시킴으로써 전자 소자의 특성을 만들어줌. 이러한 불순물주입은 고온의 전기로속에서 불순물입자를 웨이퍼 내부로 확산시켜 주입하는 DIFFUSION(확산) 공정에 의해서도 이루어짐.
12. 화학기상증착 (CVD; Chemical Vapor Deposition)공정
GAS간의 화학반응으로 형성된 입자들을 웨이퍼 표면에 증착(蒸着)하여 절연막이나 전도성막을 형성시키는 공정.
13. 금속배선(METALLIZATION)
웨이퍼표면에 형성된 각 회로를 알루미늄선을 연결 시키는 공정. 　
◎ 조립 및 검사
14.웨이퍼 자동선별 (EDS TEST)
웨이퍼에 형성된 IC칩들의 전기적 동작여부를 컴퓨터로 검사하여 불량품을 자동선별 하는 공정.
15. 웨이퍼 절단(SAWING)
웨이퍼상의 수많은 칩들을 분리하기 위해 다이아몬드 톱을 사용하여 웨이퍼를 절단하는 공정.
16. 웨이퍼 표면연마
웨이퍼의 한쪽 면을 연마하여 거울면처럼 만들어 주며, 이 연마된 면에 회로 패턴을 그려넣게 됨.
17. 금속 연결 (WIRE BONDING)
칩 내부의 외부연결단자와 리드프레임을 가는 금선으로 연결하여 주는 공정.
18. 성형(MOLDING)
칩과 연결금선부분을 보호하기 위해 화학수지로 밀봉해 주는 공정.
19. 최종검사 (FINAL TEST)
성형된 칩의 전기적 특성 및 기능을 컴퓨터로 최종 검사하는 공정으로 최종 합격된 제품들은 제품명과 회사명을 MARKING한 후 입고검사를 거쳐 최종소비자에게 판매됨.

키워드

반도체,   재료,   제조,   공정,   잉곳,   인곳