Ms 트랜지스터의 구성요소로 적합한 반도체 재료 설계

소개글

Ms 트랜지스터의 구성요소로 적합한 반도체 재료 설계에 대한 보고서 자료입니다.

목차

서론
1. Mos 트랜지스터란?
2. Mos 트랜지스터의 발전 동향.

본론
: 부제 - 재료 탐색
1. 후보반도체물질 Si, Ge, Ga, As, ImP 의 장단점 조사.
1-1.Sn
1-2.Ge
1-3.Ga
1-4.As
1-5.InP
2. 결과_최적의 반도체 재료 선정

본문내용

징으로 한다. 이러할 경우 작은 에너지를 가하더라도 반도체의 자유전자가 CB영역까지 도달하기 때문에 예민하다는 장점을 지닌다. 그렇기에 프로세싱의 스피드에 유리하다는 결론을 내릴 수 있는데, 혼합물의 형태이기에 인위적으로 제작해야하는 경우가 발생하고, 국가 간의 기술력 차이가 반드시 존재하게 되는 재료로서 단가가 비싸다는 단점이 있다. 이 외에 성형의 간편화와 같은 기능은 익히 전해진바 없다.
2. 최적의 반도체 재료 선정
소형화를 통해서 집적도 향상에 도모할 수 있는 재료는 위의 후보물질 중에서 성형에 제한이 적은 Si 물질이다. 이 외에 만일 MOSFET의 프로세싱 속도에 주력할 것이라면 InP 소재의 MOSFET을 만드는 것이 밴드 갭의 폭이 매우 적은 반도체로 만들어주기 때문에 더욱 효율이 좋을 것이다.
참고자료
1. Mos Transister
http://migdream.co.kr/bbs/board.php?bo_table=mig_05&wr_id=8
2. Transiter의 사전적 의미
http://100.naver.com/100.nhn?docid=156375
3. 아이폰 사진 자료 인용
http://news.naver.com/main/read.nhn?mode=LSD&mid=sec&sid1=105&oid=277&aid=0002388472
4. BJT와 MOSFET의 차이점
http://blog.daum.net/21th_vision/7083675
5. 원소의 기본 스펙
http://100.naver.com/
6. 갈륨과 비소의 정보
http://blog.daum.net/keyoice/13257164

키워드

MOSFET,   트랜지스터,   MOS,   BJT,   Ga,   Sn,   As,   InP