MOSFET 원리와 CV curve 와 IV curve

소개글

MOSFET 원리와 CV curve 와 IV curve에 대한 보고서 자료입니다.

목차

1. MOSFET의 기본 원리

2. MOSFET의 Parameter 및 동작원리

3. C-V curve

4. I-v curve

5. REFERENCE

본문내용

LG = 0.35 μm에서의 소자특성을 나타냄.
3. C-V curve
MOS 커패시터의 구조는 MOSFET의 핵심이다. MOS 커패시터의 정전용량은 C = 로 정의된다. 여기서 dQ는 커패시터 양단의 전압의 미분변화 dV에 관해 한 평판상에서의 전하의 미분변화량이다. 정전용량은 소신호 또는 교류변수로서, 게이트에 직류전압이 가해진 상태에서 작은 교류전압을 중첩함으로써 측정된다. MOS 커패시터에는 세가지 중요한 동작상태 즉 축적, 공핍, 반전이 있다. 일반적으로 고주파는 1MHz 정도이고 저주파는 5에서 100Hz의 범위에 있다. 절연막 두께, 기판농도 및 VT와 같은 MOS 소자의 다양한 변수가 C-V 특성으로부터 얻어진다. 먼저 C-V 곡선의 형상은 기판의 도핑형에 의존한다. 고주파수 정전용량이 음의 게이트 바이어스에 대해 크고 양의 바이어스에 대해서는 작다면 그건 p형 기판이고 그 반대도 성립한다. p-형 물질에 대한 저주파수 C-V 곡선으로부터, 게이트 바이어스가 더욱 양으로 증가함에 따라(또는 더욱 음으로 작아짐에 따라) 정전용량은 공핍에서는 천천히 감소하고 반전에서는 급속히 증가한다. 그 결과로서, 모양상으로 저주파수 C-V 곡선은 대칭이 되지 않는다. n-형 기판의 경우 C-V 곡선이 그림의 거울상이 된다.
이상적인 C-V곡선
　　　　　　　　　　　　　　　　　
4. I-v curve
게이트 전압을 인가해서 채널이 형성된 MOS 트랜지스터를 증가형(enhancement type)이라 한다. 이것에 대해서 절연물-반도체의 경계에 있는 계면 상태 등에 의해서 반도체 표면의 에너지대가 만곡되어 게이트 전압을 인가하지 않아도 반전이 일어나 채널이 형성되어 있는 경우가 있다. 이것을 공핍형(depletion type)이라 한다. n채널 MOS 트랜지스터의 증가형과 공핍형의 ID-VG 특성과 함께 ID-VD 특성을 그림에 나타낸다. p채널의 경우는 그림의 VG의 극성을 바꾸면 된다.
◀ 불포화　영역에서의　I-V 특성　곡선
5. REFERENCE
반도체 공학, 일진사, 허규성, 2003
Solid State Electronic Device, Prentice Hall, Inc, Ben G. Streetman And
Sanjay Banerjee, 2000
- http://elecpia.cntc.ac.kr/semi/index.htm
- http://heonlee.korea.ac.kr/patent.php

키워드

MOSFET,   모스펫,   CV Curve,   IV CURVE,   CV,   IV,   BJT,   트랜지스터