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터, 포화 영역에서
동작하는 MOSFET은 드레인 전압
VDS에 무관하며 제곱 관계식에 따
라 게이트 전압 VGS에 의해서 결정되는 드레인 전류를 제공한다는 것을 알 수 있을 것이다. 따라서 포화된 MOSFET은 오른쪽 식과 같이 VGS에 의해서 제어되는 이상
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공통 증폭기의 실제 실험 회로와 시뮬레이션 결과이다.
시뮬레이션에서는 Vin > Vout 으로 AV가 1보다 작은 결과가 도출되었는데, 결론부터 언급하자면 시뮬레이션의 오류이다. 실제 실험에서는 AV가 1 이상이 되도록 나왔고, 회로가 증폭기 회
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모스펫은 대량 전력을 수용할 수 있어 급속히 확대되었다. 또한 모스펫의 전압, 전류 특성곡선은 5극 진공관과 비슷하기 때문에 진공관의 특성을 많이 가지고 있다.
3.디지털 엠프의 작동 방식
I. 디지털 앰프(D-class)란?
신호의 증폭을 디지털
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모스펫 N 타입)
15. MOSFET P type bias (모스펫 P 타입)
16. BJT_NPN type bias (BJT NPN 타입)
17. BJT_PNP type bias (BJT PNP 타입)
18. OPAMP limiter using zener diode (OPAMP 리미터)
19. TRANSISTOR AMPLIFIER (트랜지스터 증폭기)
20. BJT differential pair
21. Simple series regulator with a tr
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