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로부터, 포화 영역에서
동작하는 MOSFET은 드레인 전압
VDS에 무관하며 제곱 관계식에 따
라 게이트 전압 VGS에 의해서 결정되는 드레인 전류를 제공한다는 것을 알 수 있을 것이다. 따라서 포화된 MOSFET은 오른쪽 식과 같이 VGS에 의해서 제어되는
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의 conductance가 증가하여 channel 저항이 감소하게 된다. 즉, 전류는 에 비례하여 증가하며, 전압에도 역시 비례하게 된다.
[그림 참조]
(2) 의 증가에 따른 동작
는 channel 양단의 전압 강하로 나타나게 된다. 즉, 소스에서 전압이 0에서 드레인 쪽으
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) RG를 1 M Ω으로 유지하고 RD를 100 k Ω으로 바꾸면 1)에서의 Y의변화는 어떠한가?
-> 측정결과 :오른쪽 그림처럼 Y에서 나오는 출력 신호가 오히려 입력 신호보다 줄어들게 나왔다.
[결과 분석]
측정 결과 =-1.92V => =-1.92V - (-2V) =0.08V
즉,
에
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제 LG = 0.35 μm에서의 소자특성을 나타냄.
3. C-V curve
MOS 커패시터의 구조는 MOSFET의 핵심이다. MOS 커패시터의 정전용량은 C = 로 정의된다. 여기서 dQ는 커패시터 양단의 전압의 미분변화 dV에 관해 한 평판상에서의 전하의 미분변화량이다. 정전
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aph를 이용하는 것이다. 즉, (식 6)과 같이 표현된 것 처럼 ID versus VGS plot에서 X-axis와 만나는 지점이 VT가 된다.
MOSFET의 특성을 나타내는 중요한 Parameter 중의 하나는 [그림 7]에 나타나 있는 Subthreshold slope이다. SS의 정의는 (식 7)과 같이 Drain 전류
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