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금속-산화막-반도체 소자의 계면전하 발생에 미치는 정공과 수소의 역할, 성균관대학교과학기술연구소
서용준(1974), 터널 다이오드 주파수 변환기의 변환이득 및 잡음특성에 관한 연구, 한양대학교
장수환(2010), 질화갈륨계 고전자이동도 트
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금속-반도체 전계효과 트랜지스터, 대한전기학회, 2010 Ⅰ. 산화와 광화학산화제
1. 질소산화물의 광화학반응
2. 휘발성유기화합물의 광화학반응
1) 탄화수소(RH)와 하이드록실기(hydroxyl radical : OH?)의 광화학반응
2) 알데하이드기(aldehyde rad
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반도체인 GaMnAs를 사용하여 액체질소 온도에서 자기장에 따라 서로 다른 방향으로 스핀 분극된 빛을 검출함으로써 스핀 발광 다이오드의 응용 가능성을 제시하였다.
⑥ 미국 해군연구소
- 자성금속/반도체의 계면에 절연층을 삽입하여 우수
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나는 원인
1) 전자의 수와 에너지 밴드갭(electron energy band gap)
2) 페르미 에너지(Fermi energy)
3) 금속의 경우
4) 반도체와 부도체의 경우
3. 온도 변화에 따라 각각의 재료의 전기 전도도의 변화 경향 및 그 원인
1) 금속
2) 반도체
4. 출처
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금속-절연체-반도체 FET
소 개
디지털 소자에 널리 사용
채널 전류는 채널로부터 절연체에 의해 분리된 게이트 전극에 인가된 전압으로 제어
반도체로는 Si를, 절연체에는 SiO2 를, 게이트는 Al 이 일반적으로 이용
기본동작(p형 Si기판 위에
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