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트랜지스터기초, 기다리 Ⅰ. 개요
Ⅱ. 터널다이오드 트랜지스터의 동작(작동)
Ⅲ. 금속산화막반도체 트랜지스터의 동작(작동)
1. Depletion MOS FET
2. Enhancement type
Ⅳ. 이미터 트랜지스터의 동작(작동)
Ⅴ. 고전자이동도 트랜지스터(HEM
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산화막(SiO2)이 증착되어져 있고 ,그 위에 게이트로 동작하는 금속 박막이 있다. 게이트, 드레인, 소스 및 기판은 Ohm적 접촉을 이루고 있다. 기판이 소스로 내부적으로 연결되면 기판연결 리드는 없어도 된다.
증가형 MOSFET의 구조
게이트와 기
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작동할 수 있는 것으로서 크기가 170밀리미터 × 100밀리미터 × 45밀리미터 이하인 카셋트 플레이어(앰프는 내장되어 있으나 확성기는 내장되어 있지 아니한 것)만을 분류한다.
2. - 소호 제8542.10호에서 \"스마트 카드\"란 칩의 형태로서 전자 집
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다이오드: 금속과 반도체의 접촉 특성을 응용
7.발광(LED)다이오드: 발광 특성을 응용하여 광 센서로 사용
8.수광(포토)다이오드: 광검출 특성을 응용하여 광 센서로 사용
9.배리스터 다이오드: 트랜지스터의 출력단의 온도 보상에 사용
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다이오드의 개요
다이오드의 종류
다이오드의 회로 기호
다이오드의 분류
종류별 특징
다이오드의 특성
일반 다이오드와 쇼트키 다이오드 비교
SBD(Schottky Barried Diode)
브리지 다이오드
다이오드의 구조와 동작
다이오드의 특성 표시
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