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일함수
qФF : 반도체에 대해 진성 Fermi 준위 Ei보다 아래쪽으로의 Fermi 준위를 측정한 것(이것은 얼마나 강하게 이 반도체가 p형으로 되어 있는지를 나타냄) 1 MOSFET 동작원리
2 문턱전압
3 MOS 케패시터
4 MOS 전계효과 트렌지스터
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에 따라 다른값을 보이는데 즉 (111)면이 (100)면 보다 산화에 참여하는 실리콘 원자수가 많으며, 산화가 끝났을때에도 끊어진 결합수가 더 많게 되어 계면 덫으로 작용하는 밀도가 커지게 된다. 이런 이유로 실리콘MOSFET에는 (100)웨이퍼가 주로
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MOSFET는 Metal - Oxide - silicon field - effect transistor(금속 -산화물 - 반도체 전라 접합 트랜지스터)로써, MOSFET는 특히 단일 실리콘에 제조되는 회로인 집적 회로의 설계에 가장 널리 사용되는 전자 소자이다. 실험에서는 VDS를 10V로 고정시키고VGS를 1,2,
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실리콘 기판 하부 쪽으로 substrate 단자가 하나 더 있는데 동작의 단순화를 위해 보통 source 단자 쪽과 연결하여 사용한다.
Fig.3 MOSFET structure
3. MOSFET 의 종류
① Depletion형 MOSFET
전도채널을 미리 제조하고, Gate 전압에 의해 전도채널 폭을
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유도 시키는 동작을 한다. 즉, gate에 전압이 없으면 source-drain에 전류가 흐르지 못한다. 전도채널을 생성하기 위해서 gate에 강한 전압을 걸어 주어 채널을 생성한다. 이때 P형 실리콘이 N형 실리콘으로 변환 되는데 이를 Inverse Layer라 한다.
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