[전자회로실험] 증가형 MOSFET의 단자 특성과 바이어싱 (결과)
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소개글

[전자회로실험] 증가형 MOSFET의 단자 특성과 바이어싱 (결과)에 대한 보고서 자료입니다.

목차

실험 .증가형 MOSFET의 단자 특성과 바이어싱

1.Orcad 결과
2.실험 결과 값
3.고찰

본문내용

11
ID(mA)
0.118
0.122
0.125
0.128
0.130
0.135
0.141
0.151
VGS(V)
4
VDS(V)
1
2
3
4
5
7
9
11
ID(mA)
2.962
3.319
3.406
3.468
3.518
3.605
3.693
3.850
VGS(V)
6
VDS(V)
1
2
3
4
5
7
9
11
ID(mA)
5.837
8.978
9.743
9.957
10.090
10.265
10.408
10.621
VGS(V)
8
VDS(V)
1
2
3
4
5
7
9
11
ID(mA)
8.15
14.57
17.41
18.15
18.39
18.65
18.80
18.99
VGS(V)
10
VDS(V)
1
2
3
4
5
7
9
11
ID(mA)
9.43
18.95
24.60
27.25
27.97
28.28
28.30
28.23
3.고찰
이번 실험은 증가형 MOFET의 단자 특성과 바이어싱에 관한 실험이었다.
MOSFET는 Metal - Oxide - silicon field - effect transistor(금속 -산화물 - 반도체 전라 접합 트랜지스터)로써, MOSFET는 특히 단일 실리콘에 제조되는 회로인 집적 회로의 설계에 가장 널리 사용되는 전자 소자이다. 실험에서는 VDS를 10V로 고정시키고VGS를 1,2,3,4,5,7,9,11로 가변시켜서 ID를 측정하는 실험과 ID - VDS 특성 측정하는 실험이었다.
Orcad결과가 책에 있는 값들과는 다소 차이가 있었다. 조교선생님께 물어본 결과 책에 있는 결과는 PSPICE의 결과이기 때문에 Orcad결과와는 다소 차이가 있을 수 있다고 들었다.
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  • 페이지수5페이지
  • 등록일2014.03.27
  • 저작시기2014.3
  • 파일형식한글(hwp)
  • 자료번호#910005
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