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결과가 책에 있는 값들과는 다소 차이가 있었다. 조교선생님께 물어본 결과 책에 있는 결과는 PSPICE의 결과이기 때문에 Orcad결과와는 다소 차이가 있을 수 있다고 들었다. 실험 .증가형 MOSFET의 단자 특성과 바이어싱
1.Orcad 결과
2.실험
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트랜지스터의 간략화된 구조이다. npn형 구조와 같은 이미터-베이스접합과 컬렉터-베이스접합으로 구성된다는 것을 알 수 있다.
≪ 그 림 ≫ 1.실험목적
2.예비지식
3.준비
4.실험 준비물
5.실험과정
6.PSPICE 실험결과
7.예비점검
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바이어싱
목표 : 고정-전압 바이어스 디자인의 문제점을 실제로 실험해본다.
그림 4.4 결함 있는 베이스-전압-바이어싱 회로
실험장치 :
○ 그림 4.4의 회로를 꾸며라.
[시뮬레이션 한 예상값]
측정 : 정확한 실험결과를 위해 사용할 저항의 값
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사용하였다. 트랜지스터를 증폭기나 스위칭용으로 사용하려면 우선 직류 전압을 가해 주어야 하는데 이것을 바이어싱이라구 한다. VCB는 IE가 커져도 변화가 없었다, 1. 목적
2. 관련 이론
3. 실험 방법
4. 실험 결과
5. 고찰
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전압은 증폭이 되지않음을 확인할 수 있는 실험이었다. Result-Report
1. 목적
2.실험기기
3.. 관련 이론
1) 트랜지스터의 기본 구조 및 바이어싱
2) 트랜지스터 시험법
3)오실로쉬 코프의 사용법
실험내용 및 고찰
고찰)
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