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실험 9. BJT의 단자 특성과 바이어싱
과목 : 기초전기회로실험
실험목적
1.활성 모드에서 동작하는 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT)의 단자 특성을 실험을 통해 이해한다.
2.BJT를 활성 모드에서 안정하게 동작시키기 위한 바이어싱
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실험 절차 및 결과
• 저항계를 사용한 바이폴라 트랜지스터의 단자 확인
E1.1 디바이스 전류의 안정화(npn)
E1.2 접합 관리와 접합 전류 확인
E2.1 베이스-전류 바이어스
E2.2 베이스-에미터 고정전압 바이어싱
• 증폭기로서의 BJT
E3.1
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9
11
ID(mA)
5.837
8.978
9.743
9.957
10.090
10.265
10.408
10.621
VGS(V)
8
VDS(V)
1
2
3
4
5
7
9
11
ID(mA)
8.15
14.57
17.41
18.15
18.39
18.65
18.80
18.99
VGS(V)
10
VDS(V)
1
2
3
4
5
7
9
11
ID(mA)
9.43
18.95
24.60
27.25
27.97
28.28
28.30
28.23
3.고찰
이번 실험은 증가형 MOFET의 단자 특성과 바이어싱에
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904, , , 1㏀, 1.3㏀, 3.3㏀, 10㏀, 15㏀, 47㏀, 100㏀
5. 실험 내용
(1) BJT의 단자 연결도를 확인하라 <그림 6>
(2) 트랜지스터의 이미터 접합과 컬렉터 접합의 순방향과 역방향의 저항크기를 측정하여 기록하라.
(3) <그림 7>의 특성 측정을 위한
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실험한다.
2. 달링턴 회로 구성 시 주어진 회로처럼 2개의 BJT를 연결하지 않고 하나의 패키지로 만들어진 TIP120 트랜지스터를 사용한다. 일반 BJT와 단자의 위치가 다르므로 데이터 시트를 통해 미리 값과 B, C, E 단자를 확인한 후 실험해야한다.
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