|
반도체의 일함수 또한 5.1eV가 되어야 하므로, 가 성립되어야 한다.
가 되어야 한다.
이 되어야 하므로
즉 이 된다.
3. 결론
⑸ 결과에 대한 총론
이상적인 MOS 다이오드의 조건에 맞게 금속을 골라 일함수를 비교하여 반도체의 농도를 맞춰가는
|
|
|
◎ 한규희, 디지털전자회로, 크라운 출판사
◎ H. E. West, CMOS VLSI 설계의 원리 Ⅰ. MOS의 원리
Ⅱ. MOS의 제조공정
Ⅲ. CMOS의 원리
Ⅳ. CMOS의 인터페이스
1. CMOS와 TTL의 interface
2. TTL과 CMOS의 interface
Ⅴ. 논리계열의 특징
참고문헌
|
|
|
MOS에서 금속-산화물 계면에 대해 변형된 일함수(modified work function)을 사용(금속의 Fermi 준위에서 산화물의 전도대역까지 측정된 것)
qФs : 반도체-산화물 계면에서의 변형된 일함수
qФF : 반도체에 대해 진성 Fermi 준위 Ei보다 아래쪽으로의 Fermi
|
|
|
반도체공학 - 박광순, 여진경 역. 학문사. 1997
[5] http://www.ece.utep.edu/research/webedl/cdte/Fabrication/index.htm
[6] http://lsm.rutgers.edu/facilities_ALD.shtml
[7] chap2. 전계효과 트랜지스터(FET) - 디스플레이공학 이준신교수님 강의자료 1. 실험목적 (Purpose)
2.
|
|
|
반도체의 산화 피막상의 금속 전극이 되어 있는 것이다.
현재의 집적 회로의 주류가 되고 있는 소자이다.
JFET(Junction FET) : 게이트 부분이 보통 트랜지스터와 동일하게 이종 반도체의 접합면이 되어 있는 것이다. MOS와 동작 원리가 달라
|
|
 |
e, III-V 계열 재료, 혹은 2차원 반도체 재료(MoS₂, WS₂ 등)를 활용한 소자 설계 가능성을 탐구하고자 합니다. 해당 재료의 결정 구조, 밴드갭 특성, 공정 적합성을 실험과 문헌을 통해 검토하고, 이를 바탕으로 소자 구조를 제안할 계획입니다.
-
|
|
 |
MOS MASTER 등 다양한 자격증을 취득하였습니다. 그리고 대학교 졸업전에 반도체 회사에서 인턴생활을 하면서 실전 경험을 익혔습니다. 저는 매년 한 개씩 취득할 수는 없었지만 그렇게 하기 위해서 노력하였고 결국 이런 경험들은 나중에 OCI스
|
|
메뉴펼치기
