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링이 존재할 수 있는 확률은 전자가 투 과하는 장벽의 폭(MOS에서는 산화층의 두께)에 영향을 받는다. 따라서 전자는 삼각형 장벽대신 사 다리꼴 모양의 포텐셜장벽을 통과하여 지나간다.
◆Fowler Nordheim Tunneling (FN Tunneling)
직접터널링과 유사
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산화층을 가진 실리콘 웨이퍼이고 다른 하나는 3000A의 산화층을 가진 실리콘 웨이퍼 였다. 2종류의 실리콘웨이퍼를 4월 15일 실험과 4월 29일 실험을 거쳐서 다음과 같은 결과를 얻었다.
위사진은 산화층 두께에 따라서 그리고 Develop시간에 따라
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산화층이 마치 알루미늄의 피복과 같은 역활을 하여 더 이상 산화가 진행되지
않습니다. 어떤 알루미늄이라도 표면이 매우 미려한 알루미늄(거울같이)이라도 표면은
매우 얇은 산화층으로 이루어져 있습니다. 참고로 Al2O3는 두께가 얇을경우
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. Si의 산화를 고온에서 하는 이유는 상온에서는 Si 및 산소분자 모두 자연 산화층을 통하여 확산할 수 있을 만큼 활동적이지 못하기 때문이다. 따라서 1. 실험 목적
2. 이론적 배경
3. 실험 과정
4. 실험 결과
5. 고찰 및 창의 설계
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두께 75㎛
3) 건조 : 상온건조 8시간
4) 상도 : RIW-2 코팅재 (아크릴계 수지)
도막두께 50㎛ (mist coat 포함)
5) 건조 : 8 시간
6. 결론
무도장 내후성강 사용시 문제점인 구조물의 의장성과 유출 부식물 방지, 표면 안정 산화층 형성을 위해 내후성강용
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