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겨 담가둔다.
'디아이워터'로 중화시키기 위해서이다.
③실리콘 웨이퍼위에 남아있는 물기를 제거하기위해 '질소건'으로 제거해준다.
‘질소건’을 사용할때는 실리콘 웨이퍼에 수직으로 바람을 불어주어서 웨이퍼가 날아가지 않도록 주의
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실리콘의 습식 식각
7. 열산화막의 습식 식각.
8. 질화 실리콘의 습식 식각
9. 건식 식각
10. 이온주입 (Ion Implantation)
11. 이온 주입의 특징 및 응용
12. 손상(Damage) 및 어닐링(Annealing)
박막 증착의 기술 및 공정
- 개요
1. 기화법 (Evaporat
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증착후 저온열처리를 하는 방법으로 습식(건식)산화 두 경우 모두산화막 속에 잔존하는 H2O가 표면의 Al과 자굣하여 수소원자가 생성되어지고, 수소원자는 표면에서 산화막/ 실리콘 계면으로 확산되어 계면에 있는 덫과 반응하여 그들이 전기
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증착 (evaporator)에서 화학적 기상 증착(CVD)으로 전환이 이루어지고 있습니다. 또한, 최근에는 이전의 도전재료(Al, W)보다 가격은 저렴하고 전도성은 더욱 우수한 구리(Cu)가 첨단 메모리, CPU 및 Logic 제품에 상용화되고 있습니다.
14.Wafer 자동선별
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Al
3.74
Ni
4.84
Sn
4.11
Ti
4.09
Cu
4.47
W
4.50
Cr
4.51
Zn
3.74
Au
4.58
Mn
3.95
Se
4.72
Pb
4.02
① n-type 사용시의 메탈
이므로
Si의 이다.
반도체의 농도가 이라 하면
이므로
이다.
이상적인 조건에 의해 메탈과 반도체의 일함수는 같아야 하므로
4.1~4.2의 일함수를 갖
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증착법
(2) 열처리에 의한 재결정법
(3) 직접 증착법
(4) 엑시머 레이저 열처리법
ELA 방법에 의한 다결정 실리콘‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥6
(1) 결정화 순서
(2) 공 정
(2-1) 전반적 공정
(2-2) E
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al., "An Access-Transistor-Free(0T/1R) Non-volatile Resistance Random Access Memory(PRAM) Using a Novel Threshold Switching, Self-Rectifying Chalcogenide Device". 2003 IEDM Technical Digest, 2004
박재근, “Nano SIO Process Lab.”,<http://asmddc.hanyang.ac.kr/research/image/img19.jpg>
박재근 · 백
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실리콘의 한계가 드러나고 있습니다. 10년 후에는 반도체 칩에서 실리콘이 아닌 새로운 물질의 비중이 늘어날 것입니다. 서로 다른 물질을 증착할 때, 재료의 표면을 고려하는 것이 중요한데 재료공학도로서 재료의 표면 및 계면을 이해하고
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