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전문지식 178건

겨 담가둔다. '디아이워터'로 중화시키기 위해서이다. ③실리콘 웨이퍼위에 남아있는 물기를 제거하기위해 '질소건'으로 제거해준다. ‘질소건’을 사용할때는 실리콘 웨이퍼에 수직으로 바람을 불어주어서 웨이퍼가 날아가지 않도록 주의
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  • 등록일 2015.05.19
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실리콘의 습식 식각 7. 열산화막의 습식 식각. 8. 질화 실리콘의 습식 식각 9. 건식 식각 10. 이온주입 (Ion Implantation) 11. 이온 주입의 특징 및 응용 12. 손상(Damage) 및 어닐링(Annealing) 박막 증착의 기술 및 공정 - 개요 1. 기화법 (Evaporat
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증착후 저온열처리를 하는 방법으로 습식(건식)산화 두 경우 모두산화막 속에 잔존하는 H2O가 표면의 Al과 자굣하여 수소원자가 생성되어지고, 수소원자는 표면에서 산화막/ 실리콘 계면으로 확산되어 계면에 있는 덫과 반응하여 그들이 전기
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  • 등록일 2006.12.27
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증착 (evaporator)에서 화학적 기상 증착(CVD)으로 전환이 이루어지고 있습니다. 또한, 최근에는 이전의 도전재료(Al, W)보다 가격은 저렴하고 전도성은 더욱 우수한 구리(Cu)가 첨단 메모리, CPU 및 Logic 제품에 상용화되고 있습니다. 14.Wafer 자동선별
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  • 등록일 2015.03.13
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Al 3.74 Ni 4.84 Sn 4.11 Ti 4.09 Cu 4.47 W 4.50 Cr 4.51 Zn 3.74 Au 4.58 Mn 3.95 Se 4.72 Pb 4.02 ① n-type 사용시의 메탈 이므로 Si의 이다. 반도체의 농도가 이라 하면 이므로 이다. 이상적인 조건에 의해 메탈과 반도체의 일함수는 같아야 하므로 4.1~4.2의 일함수를 갖
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  • 등록일 2012.05.22
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논문 2건

증착법 (2) 열처리에 의한 재결정법 (3) 직접 증착법 (4) 엑시머 레이저 열처리법 󰊴 ELA 방법에 의한 다결정 실리콘‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥6 (1) 결정화 순서 (2) 공 정 (2-1) 전반적 공정 (2-2) E
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  • 발행일 2010.01.16
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al., "An Access-Transistor-Free(0T/1R) Non-volatile Resistance Random Access Memory(PRAM) Using a Novel Threshold Switching, Self-Rectifying Chalcogenide Device". 2003 IEDM Technical Digest, 2004 박재근, “Nano SIO Process Lab.”,<http://asmddc.hanyang.ac.kr/research/image/img19.jpg> 박재근 · 백
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  • 발행일 2009.06.15
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취업자료 3건

실리콘 기판으로 샘플을 제작하여 구조를 분석했는데, 응집 현상이 잘 진행되지 않은 문제도 있었습니다. 저는 클리닝 과정에서 기판을 빼내고 장비에 장착하는 동안 기판 표면에 Native oxide가 생성되었기 때문일 것이라는 가설을 세웠습니다.
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  • 등록일 2025.04.06
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실리콘의 한계가 드러나고 있습니다. 10년 후에는 반도체 칩에서 실리콘이 아닌 새로운 물질의 비중이 늘어날 것입니다. 서로 다른 물질을 증착할 때, 재료의 표면을 고려하는 것이 중요한데 재료공학도로서 재료의 표면 및 계면을 이해하고
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  • 등록일 2023.06.21
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증착, 3D 집적 기술 등의 연구를 통해 차세대 반도체 공정 기술을 향상시킬 수 있습니다. 반도체 소자의 성능을 극대화하고 신뢰성을 높이는 새로운 공정 기법을 개발할 수 있습니다. 3) 뉴로모픽 컴퓨팅 및 AI 반도체 응용 연구 AI 연산에 최적
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  • 등록일 2025.03.31
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  • 직종구분 기타
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