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MOS 다이오드를 제작할 수 있을 것입니다. 1.서론
⑴ Ideal MOS diode 의 조건 및 Energy band diagram
⑵ 일반적인 MOS diode 의 제작 공정
⑶ Metal 종류의 선택과 선택 이유
2. 본론
⑷ Doping 농도의 계산 과정 (Dopant 는 상온에서 completely ionize 된
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최대 역방향 전압(VRPM)
(2) 순방향 평균 전류(IO)
(3) 순방향 전력 손실(PD(MAX))
2. TR(트랜지스터)
3. FET
(1) FET 구조와 동작
[1] FET의 종류
[2] 접합형 FET에 흐르는 전류
[3] 절연 게이트형(MOS형) FET에 흐른 전류
[4] 감소형과 증가형
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1) 트랜지스터의 개요
2) 트랜지스터 구조와 동작
(3) IC
1) IC의 특징
2) IC의 종류
(4) IGBT
1) IGBT의 특성
2) IGBT와 GTO의 특징 비교
(5) IGCT
(6) 사이리스터(SCR)
1) SCR의 종류와 동작원리
2) 사이리스터의 특성
(7) 전력용 MOS FET
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VLSI(Very Large Scale Intergration)
5) ULSI(Ultra Large Scale Intergration)
2. 능동 소자에 따른 분류
1) 바이폴라 IC
2) 유니폴라형(MOS형) IC(저속, 고임피던스, 저전력, 고집적)
3. 기능에 따른 분류
Ⅵ. 전자공학과 다이오드
1. 구성
2. 동작
참고문헌
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채널이 넓어져 ID가 증가하도록 만든 것을 증가형이라 한다. 1. CCD 이미지 센서 - 시각
2. 감압다이오드 (減壓－ pressure sensitive diode) - 청각
3. 스트레인 게이지 - 촉각
4. 서미스트 - 온각
5. 가스센서 - 취각
6. 이온검출 FET - 미각
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다이오드에 역방향 전류인 가시전류의 특성
인사
1. 학교 다닐 때 어떤 것을 경험했고, 그 교훈은 무엇이었나.
정보
1. 다국적 기업의 국내 진출에 대해 본인의 의견을 말해
보시오. 1. 지원동기 (희망업무, 포부, 입사 후 즉시 활용 가능 업
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