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MOS 다이오드를 제작할 수 있을 것입니다. 1.서론
⑴ Ideal MOS diode 의 조건 및 Energy band diagram
⑵ 일반적인 MOS diode 의 제작 공정
⑶ Metal 종류의 선택과 선택 이유
2. 본론
⑷ Doping 농도의 계산 과정 (Dopant 는 상온에서 completely ionize 된
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VLSI(Very Large Scale Intergration)
5) ULSI(Ultra Large Scale Intergration)
2. 능동 소자에 따른 분류
1) 바이폴라 IC
2) 유니폴라형(MOS형) IC(저속, 고임피던스, 저전력, 고집적)
3. 기능에 따른 분류
Ⅵ. 전자공학과 다이오드
1. 구성
2. 동작
참고문헌
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반도체 특강 자료 (삼성전자)
(4) 이화여자 대학교 전자공학과 PRAM PPT 자료
(5) 고광석 (상변화 기술분석)
(6) 상변화 메모리 소자설계용 요소기술 개발에 관한 연구 ( 과학기술부 )
(7) 비휘발성 메모리 소자 기술 동향 (KIST 허운행)
9 1.서론
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최대 역방향 전압(VRPM)
(2) 순방향 평균 전류(IO)
(3) 순방향 전력 손실(PD(MAX))
2. TR(트랜지스터)
3. FET
(1) FET 구조와 동작
[1] FET의 종류
[2] 접합형 FET에 흐르는 전류
[3] 절연 게이트형(MOS형) FET에 흐른 전류
[4] 감소형과 증가형
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공학, 홍릉출판사, 이준신 2004 1.왜 LCD Module을 열해석 해야 하는가?
1) 열해석 사례
2) 고찰
3) 수업 시간에 이해한 내용
2. 대류, 전도, 복사에 대한 고찰
1) 전도
2) 대류
3) 복사
3. 차세대 LCD 광원에 대하여 조사하고 그에 대한 문제점
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