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◎ 한규희, 디지털전자회로, 크라운 출판사
◎ H. E. West, CMOS VLSI 설계의 원리 Ⅰ. MOS의 원리
Ⅱ. MOS의 제조공정
Ⅲ. CMOS의 원리
Ⅳ. CMOS의 인터페이스
1. CMOS와 TTL의 interface
2. TTL과 CMOS의 interface
Ⅴ. 논리계열의 특징
참고문헌
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반도체
원래는 전기가 통하지 않지만, 빛이나 열 또는 불순물을 가해주면 전기가 통하고 또한 조절도 할 수 있는 물질
POSITIVE - P
NEGATIVE - N
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CMOS 반도체 공정에서는 400 - 450 ) 이를 해결하기 위한 플라즈마 방전을 이용한 공정 등의 연구도 진행되고 있음
4. 메모리의 구성비교
[표3] 각 메모리의 구성 비교
참고문헌
1. 비휘발성 메모리 소자 기술동향 / KIST / 허운행
2. 상변화 메모리 소
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반도체는 일명 주문형 반도체라고도 하는데, 일반 가정, 휴대폰, LCD 등 다양한 영역에서 쓰인다. 2000년대 들어 PDA용 SoC, 무선랜용 통합칩, 디지털 TV 수신칩, CMOS 이미지 센서, 메모리 로직 통합제품 등에 대한 투자가 주로 이루어지고 있다. 비
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반도체 특강 자료 (삼성전자)
(4) 이화여자 대학교 전자공학과 PRAM PPT 자료
(5) 고광석 (상변화 기술분석)
(6) 상변화 메모리 소자설계용 요소기술 개발에 관한 연구 ( 과학기술부 )
(7) 비휘발성 메모리 소자 기술 동향 (KIST 허운행)
9 1.서론
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