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회로의 전기적 특성PPT
◎ 한규희, 디지털전자회로, 크라운 출판사
◎ H. E. West, CMOS VLSI 설계의 원리 Ⅰ. MOS의 원리
Ⅱ. MOS의 제조공정
Ⅲ. CMOS의 원리
Ⅳ. CMOS의 인터페이스
1. CMOS와 TTL의 interface
2. TTL과 CMOS의 interface
Ⅴ. 논리계열
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CMOS/SOS 회로가 발표됨
1968년 MOS 메모리 집적회로가 처음으로 사용
1969년 처음으로 실리콘 게이트 MOS IC사용
1970년 처음으로 MOS를 사용한 계산기 chip이 발표
1977년 고성능 5V MOS 기술이 발표 반도체 제조 공정의 역
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및 재생 원리
3 .PRAM(Phase change RAM), OUM(Ovonic Unifed Memory)
(3.1) .PRAM(Phase change RAM),
(3.2) .PRAM Basic Operation
(3.3) PRAM (Writing)
(3.4) PRAM READ
(3.5) Key Technology of PRAM
4.국내외 기술개발 현황
5.해외 차세대 반도체 정보
6.결론
7.참고 문헌
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회로에 쓰인 CMOS BUFFER또한 같은 이유이다. CMOS는 TTL에 비해 동적 안전성이 부족하다. 이 점을 보완하기 위한 것이다. 1. 실험 결과정리
2. 실험 분석 및 고찰
3. 설계 및 고찰
실험 결과에서 본 CMOS의 TTL interface의 원리를 설명하라.
CMOS와 T
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CMOS의 interface가 어떤 역할을 하는지 확인하는 실험으로, 그 결과 값이 핀1에서 핀3으로 갈 때 그 값들이 증폭되는 것을 확인하고 그러한 역할을 하는 것을 확인하는 실험이었습니다. 실험 (6)에서는 회로를 짜고 회로에서 소자를 거치면서 변화
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