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반도체로는 Si를, 절연체에는 SiO2 를, 게이트는 Al 이 일반적으로 이용
기본동작(p형 Si기판 위에 n형 채널 형성)
n+형 소스와 드레인 영역은 p형 기판에 확산 또는 이온 주입으로 형성
얇은 산화물층(SiO2)은 Si 표면으로부터 Al 금속 게이트를 분
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금속-산화물-반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET)와 유사한 특성을 갖는다. TFT에 사용되는 재료로는 비정질실리콘, 다결정실리콘, CdSe가 사용된다.
4. 전자소자의 종류
- 수동소자 : R, L, C
- 진공관 : 2극관, 3극관, CRT
- 반도체 소자
Diode
BJT
MOSFET
광
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h를 이용하는 것이다. 즉, (식 6)과 같이 표현된 것 처럼 ID versus VGS plot에서 X-axis와 만나는 지점이 VT가 된다.
MOSFET의 특성을 나타내는 중요한 Parameter 중의 하나는 [그림 7]에 나타나 있는 Subthreshold slope이다. SS의 정의는 (식 7)과 같이 Drain 전류가
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반도체 광촉매의 조건 12
4) 광촉매의 장점 12
5) 나노 반도체 금속산화물 광촉매의 종류 13
6) 분말형 광촉매와 액상 졸형 광촉매의 비교 14
7) 반도체 광촉매 제조기술 14
8) 광촉매의 활용 16
9) 이산화티타늄 광촉매의 고효율화 17
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금속의 농도변화 또는 생성이온의 확산
~10ppm
~5%
내연기관,
의료용
CO 센서
이온농도 변화
~50ppm
~5%
의료용,
공해측정
각종 반도체식 가스센서의 발전은 현재 응용되고 있는 사용처에서 더 넓은 범위로 좀 더 다양한 다양하게 발전 되어야
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