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h를 이용하는 것이다. 즉, (식 6)과 같이 표현된 것 처럼 ID versus VGS plot에서 X-axis와 만나는 지점이 VT가 된다.
MOSFET의 특성을 나타내는 중요한 Parameter 중의 하나는 [그림 7]에 나타나 있는 Subthreshold slope이다. SS의 정의는 (식 7)과 같이 Drain 전류가
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산화물의 전도대역까지 측정된 것)
qФs : 반도체-산화물 계면에서의 변형된 일함수
qФF : 반도체에 대해 진성 Fermi 준위 Ei보다 아래쪽으로의 Fermi 준위를 측정한 것(이것은 얼마나 강하게 이 반도체가 p형으로 되어 있는지를 나타냄) 1 MOSFET
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금속-산화물-반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET)와 유사한 특성을 갖는다. TFT에 사용되는 재료로는 비정질실리콘, 다결정실리콘, CdSe가 사용된다.
4. 전자소자의 종류
- 수동소자 : R, L, C
- 진공관 : 2극관, 3극관, CRT
- 반도체 소자
Diode
BJT
MOSFET
광
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MOSFET는 Metal - Oxide - silicon field - effect transistor(금속 -산화물 - 반도체 전라 접합 트랜지스터)로써, MOSFET는 특히 단일 실리콘에 제조되는 회로인 집적 회로의 설계에 가장 널리 사용되는 전자 소자이다. 실험에서는 VDS를 10V로 고정시키고VGS를 1,2,
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편광의 차이가 측정되고, 산화막 두께가 계산된다.
d=0.1㎛ (1000'C, 2hr Si(100) dark violet)
표 1 ) 성장된 박막에 의해 관찰된 색
참고문헌
1 . 반도체(공정 및 측정) 편집부 엮음 (주)전자자료사, 1994년
2 . 반도체공정기술, 황호정, 생능출판사, 2000
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