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전류가 조금씩 실제로 증가함을 보이고 있다.
[그림 7] versus plot. 실제 LG = 0.35 μm에서의 소자특성을 나타냄.
[그림 8] versus plot. 실제 LG = 0.35 μm에서의 소자특성을 나타냄. 1. MOSFET이란?
1.1 MOSFET의 기본 원리
2. MOSFET의 Parameter 및 동작원리
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보면 Drain 전압이 증가함에 따라 Drain 전류가 조금씩 실제로 증가함을 보이고 있다.
n-채널 MOSFET
p-채널 MOSFET 1. 목적
2. 이론
1)MOSFET의 기본원리
2) MOSFET의 Parameter 및 동작원리
3) 피스파이스 시뮬레이션
- N채널
- P채널
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, 2003
Solid State Electronic Device, Prentice Hall, Inc, Ben G. Streetman And
Sanjay Banerjee, 2000
- http://elecpia.cntc.ac.kr/semi/index.htm
- http://heonlee.korea.ac.kr/patent.php 1. MOSFET의 기본 원리
2. MOSFET의 Parameter 및 동작원리
3. C-V curve
4. I-v curve
5. REFERENCE
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기본구조
(2) 동작원리
① VGS < Vth (Cut-off or sub-threshold )일때
② VGS > Vth 및 VDS < VGS - Vth (Triode or linear region )일때
③ VGS > Vth 및 VDS > VGS - Vth (포화)일때
④ 전압을 가하는 법과 흐르는 전류
⑤ 채널 내부에서의 전자의 움직임
(3) JFET 와 MOSFET
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동작원리
① VGS < Vth (Cut-off or sub-threshold )일때
② VGS > Vth 및 VDS < VGS - Vth (Triode or linear region )일때
③ VGS > Vth 및 VDS > VGS - Vth (포화)일때
④ 전압을 가하는 법과 흐르는 전류
⑤ 채널 내부에서의 전자의 움직임
(3) JFET 와 MOSFET의 차
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