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nce at the gate>
<그림15 linear region일때 MOS-FET의 단면>
③ VGS > Vth 및 VDS > VGS - Vth (포화)일때
스위치는 켜지고, drain 과 source 사이에 전류가 흐를 수 있는 channel이 형성된다. drain 전압이 문턱 전압 보다는 더 높기 때문에, channel의 부분은 o
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FET의 단면>
③ VGS > Vth 및 VDS > VGS - Vth (포화)일때
스위치는 켜지고, drain 과 source 사이에 전류가 흐를 수 있는 channel이 형성된다. drain 전압이 문턱 전압 보다는 더 높기 때문에, channel의 부분은 off 된다. 이것을 pinch-off라 한다. drain 전류는
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FET는 접합형과 절연 게이트형(MOS형)이 있고, 다시 각각 n채널형과 p채널형으로 나눈다. ② 전극명은 드레인(D:drain), 소스(S:source) 및 게이트(G:gate)로 3단자이다.
[2] 접합형 FET에 흐르는 전류
(가) 전압을 가하는 방법과 흐르는 전류
① VDS가 작
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VDS의 값을 측정하여 기록하라. 또 이득을 계산한다.
[예상결과] 24장. MOS-FET 공통 소스 증폭기
실험 목적
[실험 장비 및 재료]
[기초이론]
(1) 증가형 MOS-FET
● 감소형과 증가형
(2) 공핍형 MOS-FET
(3) JFET의 바이어스
1) 자기 바이어스
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FET의 한 종류이며 게이트(G), 드래인(D), 소스(S)의 단자로 구성되어 있고 N채널형과 P채널형으로 나뉜다. 기본적인 구조는 소스와 드래인은 채널에 연결된 전극이며, 게이트는 채널 주위에 PN접합시켜 만든 전극이다. JFET는 게이트 단자에 역바
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