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서론
II. 본론
A. 전계효과 트랜지스터(FET)
i. FET (field effect transistor)
ii. FET의 동작
B. 접합형 FET (JFET)
i. JFET(junction FET)의 구조
ii. JFET의 동작원리
iii. JFET의 동작
(a) 고정 바이어스 회로
(b) 자체 바이어스 회로
III. 결론
IV. 참고사항
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전계-효과 트랜지스터(JFET)
JFET의 특성이 있는데, 그중에서 우리가 주목할 만한 것은 높은 입력 저항이다. 그러나, 불행하게도, MOSFET가 JFET보다 한층 더 높은 입력 저항을 가진다. 이점과 MOS 트랜지스터의 다른 여러 장점들 때문에, MOS 기술이
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jfet.asp
http://wireless.hannam.ac.kr/down/ch6-FET.pdf
http://www.oval.co.kr/service/attatch/transistor.pdf 1. JFET(Junction Field Effect Transistor, 접합 전계효과 트랜지스터)
(1) JFET의 기본적인 구조
(2) 동작원리 및 출력특성
① N-channel JFET의 동작원리
② P-channel F
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BJT와 같이 접합 전계효과 트랜지스터(JFET)은 차단, 포화, 선형의 세 가지 영역에서 동작한다. JFET의 물리적 특성과 JFET에 연결된 외부회로가 동작 영역을 결정한다. 이 실험에서는 JFET의 주어진 회로 규격들에 부합하여 선형 영역에서 동작하도
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3. 이론개요
접합 전계효과 트랜지스터(JFET)는 단극 전도소자이다. 전류 캐리어는 n채널 JFET에서는 전자 p 채널 JFET에서는 정공이다. n채널 JFET에서 전도로는 n형 불순물을 첨가한 Ge 혹은 Si이고, p채널 JFET 전도로는 p형 불순물을 첨가한 Ge 혹은
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전계효과이동도가 10 ~ 500 cm2/Vs로 비정질 Si TFT의 수백배이다.
○ 저온다결정 Si TFT는 픽셀의 구동을 위해 TFT의 크기를 줄일 수 있어 고해상도 및 고개구율의 구현에 유리하다.
○ 저온다결정 Si TFT는 전하의 이동속도가 빨라 구동회로를 유리기
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전계 방출 디스플레이는 픽셀마다 전자축을 설치해서 형광체에 비친다. 작동 방식이 기존 브라운관과 유사하면서도 평판으로 되어 있어 차세대 평판 브라운관이라고도 한다. FED의 음극판 패널은 전자를 방출하는 마이크로 칩으로 구성되어
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