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증폭기를 설계하면 좋은 이득 고입력 저출력 저항을 가지는 증폭기를 설계할 수 있습니다,
3. JFET 공통 드레인 증폭기 P-spice 시뮬레이션 수행 결과
회로도 )
시뮬레이션 결과 )
JFET 공통 게이트 증폭기 P-spice 시뮬레이션 수행 결과
회로도 )
시
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FET 공통 소스 증폭기
실험 목적
[실험 장비 및 재료]
[기초이론]
(1) 증가형 MOS-FET
● 감소형과 증가형
(2) 공핍형 MOS-FET
(3) JFET의 바이어스
1) 자기 바이어스
2) 게이트-소스 전압
3) 자기 바이어스선
4) 소스 저항 효과
(4) 전압분배
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FET 자체의 교류 임피던스는 거의 개방회로이지만, 입력에서 본 것은 게이트와 접지 사이의 임피던스이다. 그림 14에서 입력 임피던스는
Z_i = R_G
그림 14 공통 소스 JFET 증폭기
그림 15의 전압 배분기회로의 경우에는
Z_i = R_1 || R_2 = {R_1 R_2 } OVER {R
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FET 증폭기
저주파영역에서 FET증폭기를 해석하는 것은 BJT증폭기의 저주파영역을 해석한 것과 매우 비슷하다. 그림 12를 사용하여 기본적인 관계식을 유도하지만, 그 과정과 결론은 대부분의 FET증폭기회로에 적용할 수 있다.
[ 그림 12 FET 증폭
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FET 증폭기
저주파영역에서 FET증폭기를 해석하는 것은 BJT증폭기의 저주파영역을 해석한 것과 매우 비슷하다. 그림 12를 사용하여 기본적인 관계식을 유도하지만, 그 과정과 결론은 대부분의 FET증폭기회로에 적용할 수 있다.
[ 그림 12 FET 증폭
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