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게이트를 소스보다 다른 전위로 실효적으로 만드는 기법이며, 위상 관계는 역상이다.
2)CD증폭기
공통 드레인 구성은 FET에 대한 또 다른 기본적인 증폭기 구성이다. 소스 공통 접속과 는 달리 공통 드레인 접속은 부하저항이 소스 회로에 연결
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공통 게이트 증폭기는 공통 베이스 증폭기(BJT)와 유사
낮은 입력저항 Rin(source) = 1/gm
전압이득은 공통소스증폭기와 동일(Av = gmRd)
FET(Fileld-Effect Transistor)이 고입력 임피던스를 갖는 이유
간단히 말씀 드리면 FET의 물리적 구조 때문입니다. 게
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Gate에 공급되므로 입력 저항은 CS 증폭기와 같이 매우 높다.
여기에서, 이다.
(3) 공통 게이트 증폭기 (Common Gate Amplifier)
게이트 공통(Common Gate) 구성은 기본적인 FET 증폭기 접속의 마지막 방법이다. 이러한 구성의 주된 응용은 임피던스 변환 회
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게이트 단자와 접지 사이의 저항에 의존한다. FET 자체의 교류 임피던스는 거의 개방회로이지만, 입력에서 본 것은 게이트와 접지 사이의 임피던스이다. 그림 14에서 입력 임피던스는
Z_i = R_G
그림 14 공통 소스 JFET 증폭기
그림 15의 전압 배분
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게이트-소스 전압 Vgs의 효과를 결정한다.
(2) JFET의 드레인 특성을 실험으로 측정한다.
(3) JFET의 특성상의 차이점을 알아본다.
(4) 공통-소스 JFET 증폭기의 이득을 측정한다.
이론
(1) J FET의 구조
(2) J FET의 특성
(3) J F
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