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회로 69
1. 실험 목적 69
2. 기초이론 69
3. 예비 보고서 74
4. 실험기자재 및 부품 76
5. 실험방법 및 순서 76
6. Simulation 78
7. 실험 결과 85
실험 8. Op-Amp 특성 측정 87
1. 실험 목적 87
2. 기초이론 87
3. 예비 보고서 91
4. 실험기자재 및
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의 게이트회로를 그림8(a)의 회로로 바꾸어라. 스위치 S2는 개방한다.
(7) VDD와 VGG를 0V로 맞추고, 스위치 S1, S2를 닫아 전원을 넣는다.
(8) VGS=-0.25V가 되도록 VGG를 조정한다. 실험순서 (9), (10)에서도 이 전압치를 유지한다.
(9) VDS=0V일 때 ID를 측정하
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P-spice 시뮬레이션 수행 결과
회로도 )
시뮬레이션 결과 )
JFET 공통 게이트 증폭기 P-spice 시뮬레이션 수행 결과
회로도 )
시뮬레이션 결과 ) 1. 목적
2. 이론
3. JFET 공통 드레인 증폭기 P-spice 시뮬레이션 수행 결과
4. 시뮬레이션 결과
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회로설계에도 많이 이용되고 있습니다.
JFET와 MOSFET의 차이점
J FET는 게이트의 전압이 0V일때 드레인 전류가 관통하는 채널의 폭이 최대이기 때문에 \'상시개통(normally ON)\'소자라고 한다. G-S의 pn접합에 가한 역 바이어스의 크기가 클수록 채널
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FET 공통 소스 증폭기
실험 목적
[실험 장비 및 재료]
[기초이론]
(1) 증가형 MOS-FET
● 감소형과 증가형
(2) 공핍형 MOS-FET
(3) JFET의 바이어스
1) 자기 바이어스
2) 게이트-소스 전압
3) 자기 바이어스선
4) 소스 저항 효과
(4) 전압분배
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