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mA
0.2 V
317.3
86.42 mA
0.3 V
362.3
100.4 mA
0.4 V
437.3
119.7 mA
0.5 V
566.3
130.1 mA
0.6 V
625.7
133.6 mA
0.7 V
740.3
136.7 mA
0.8 V
802
138.9 mA
결론
MOSFET 을 이용하여 VDD 를 3V ,3.5V로 고정하고 VDS를 0~0.8V 까지 변화 시켰을 때
VDS 는 증폭되고 IDS는 증가하다가 어느 지점에서
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을 사용하여 디지털 논리기능과 메모리 기능을 실현할 수도 있습니다. 이런 이유로 현재 대부분의 초대규모집적회로(VLSI)는 MOSFET으로 만들어집니다. 또한 MOSFET은 아날로그 집적회로설계에도 많이 이용되고 있습니다.
JFET와 MOSFET의 차이점
J F
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JFET 와 MOSFET의 차이점
① 구조적
② 기능적
JFET는 게이트의 전압이 0V일때 드레인 전류가 관통하는 채널의 폭이 최대이기 때문에 상시개통(normally ON)'소자라고 한다. G-S의 pn 접합에 가한 역 바이어스의 크기가 클수록 채널의 유효폭이 줄어든
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JFET 와 MOSFET의 차이점
① 구조적
② 기능적
JFET는 게이트의 전압이 0V일때 드레인 전류가 관통하는 채널의 폭이 최대이기 때문에 상시개통(normally ON)'소자라고 한다. G-S의 pn 접합에 가한 역 바이어스의 크기가 클수록 채널의 유효폭이 줄어든
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JFET 공통 드레인 증폭기 P-spice 시뮬레이션 수행 결과
회로도 )
시뮬레이션 결과 )
JFET 공통 게이트 증폭기 P-spice 시뮬레이션 수행 결과
회로도 )
시뮬레이션 결과 ) 1. 목적
2. 이론
3. JFET 공통 드레인 증폭기 P-spice 시뮬레이션 수행 결과
4.
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