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실험을 하면서 반도체 소자가 주위의 환경에 많은 영향을 받는 것을 확인할 수 있었다. 온도를 0℃, 20℃, 40℃, 60℃, 80℃로 증가를 시키면서 전류를 관찰하였더니 온도에 따라서 전류가 증가하고, 문턱전압이 낮아지는 것을 실험적으로 관찰할
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실험을 하면서 반도체 소자가 주위의 환경에 많은 영향을 받는 것을 확인할 수 있었다. 온도를 0℃, 20℃, 40℃, 60℃, 80℃로 증가를 시키면서 전류를 관찰하였더니 온도에 따라서 전류가 증가하고, 문턱전압이 낮아지는 것을 실험적으로 관찰할
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1. 실험목적
트랜지스터의 NPN형과 PNP형에 대해서 관찰하고 실험 할 수 있도록 한다.
2. 실험기구
저항계, NPN 트랜지스터, PNP 트랜지스터
3. 실험이론
- 반도체 트랜지스터(Transistor)가 작동하기 위해서 순서를 따라 진행한다. NPN 의 동작 순
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1. 실험목적
트랜지스터의 NPN형과 PNP형에 대해서 관찰하고 실험 할 수 있도록 한다.
2. 실험기구
저항계, NPN 트랜지스터, PNP 트랜지스터
3. 실험이론
- 반도체 트랜지스터(Transistor)가 작동하기 위해서 순서를 따라 진행한다. NPN 의 동작 순서
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절연영역이며 접합영역을 통과하는 캐리어의 이동을 방해함. 다이오드에 순방향 전압이 걸리면 공핍층의 영역이 줄어들어 전류가 흐르게 되고, 역방향 전압이 걸리면 공핍층의전류가 흐르지 않게 된다. -실험제목
-실험목적
-배경이론
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