목차
【 이론 】
【 실험 결과 】
【 실험 결론 및 고찰 】
【 실험 결과 】
【 실험 결론 및 고찰 】
본문내용
i 다이오드 모두 일정한 저항 하에서 8V까지 일정한 전압을 받을 경우 그 전류의 방향이 순방향일 때는 전압이 증가할수록 비례적으로 전류를 증가시키고 역방향일 경우에는 입력전압이 8V까지일 때까지는 전류의 흐름을 허용하지 않는다.
▲ 결과에서 보여지듯이 똑같은 저항 R을 사용하여 같은 크기의 입력 전압을 줄 때 Si 다이오드가 Ge 다이오드보다 더 많은 전류를 통과시킨다. 그래프의 기울기 또한 완만하여 Si 다이오드가 Ge 다이오드에 비해 입력 전압과 다이오드에 흐르는 전류사이에 정비례에 가까운 모습을 보인다. 실제 Si 다이오드가 Ge 다이오드에 비해 더 많은 전류를 통과시킨다.
▲ 오프셋 전압은 Ge 다이오드가 0.3V 정도이고 Si 다이오드가 0.6V 정도이다. 실험에는 1V부터 주어졌기 때문에 측정되지는 않고 실제 적용되는 계산에는 이 문턱전압은 거의 0으로 취급할 만큼 작다고 본다.
▲ 역방향일 때는 Ge 다이오드에 경우에 0A를 유지하다가 제너 항복 전압에서 일시에 봇물 터지듯 전류를 흘린다. 다만 제너 전압은 유지한다. 역방향일 때 Si 다이오드는 실험에서는 0V로 측정되었지만 실제 1㎂ 의 전류를 전압의 증가와 별개로 일정하게 흘려보낸다.
▲ 결과에서 보여지듯이 똑같은 저항 R을 사용하여 같은 크기의 입력 전압을 줄 때 Si 다이오드가 Ge 다이오드보다 더 많은 전류를 통과시킨다. 그래프의 기울기 또한 완만하여 Si 다이오드가 Ge 다이오드에 비해 입력 전압과 다이오드에 흐르는 전류사이에 정비례에 가까운 모습을 보인다. 실제 Si 다이오드가 Ge 다이오드에 비해 더 많은 전류를 통과시킨다.
▲ 오프셋 전압은 Ge 다이오드가 0.3V 정도이고 Si 다이오드가 0.6V 정도이다. 실험에는 1V부터 주어졌기 때문에 측정되지는 않고 실제 적용되는 계산에는 이 문턱전압은 거의 0으로 취급할 만큼 작다고 본다.
▲ 역방향일 때는 Ge 다이오드에 경우에 0A를 유지하다가 제너 항복 전압에서 일시에 봇물 터지듯 전류를 흘린다. 다만 제너 전압은 유지한다. 역방향일 때 Si 다이오드는 실험에서는 0V로 측정되었지만 실제 1㎂ 의 전류를 전압의 증가와 별개로 일정하게 흘려보낸다.