트랜지스터의 특성 결과보고서

본문내용

에너지대의 변동에 의해 정공과 전자들은 서로의 가전자대와 전도대로의 넘어갈 수 있는 에너지벽이 낮아짐으로서 전류를 흐르게 만든다. 이제 역방향 바이어스의 상황을 생각해보자. 역방향의 바이어스가 가해지면, 서로의 에너지벽이 더욱 높아짐으로 인하여, 더이상 확산에 의한 전류는 흐르지 못하고(아주 소수의 전류만 흐르고), 유동에 의한 전류(drift 전류)의 양이 더 우세하여 역방향으로의 아주 미세한 전류만이 흐르게 된다. 우리는 이 현상과 트랜지스터의 컬렉터에서의 전압의 공급과 비슷한 형태임을 생각할 수 있다. 일반적으로 트랜지스터의 각 단자에 전압을 가해 주게되면, 에미터-베이스간에는 순방향의 바이어스를 가해주게 되고, 컬렉터-베이스간에는 역방향의 바이어스를 가해주게 된다. 즉, 위 회로에서 컬렉터--베이스로 이루어진 폐 루프회로에서 역방향의 바이어스를 인가 받음으로서 베이스에서 컬렉터로 정공이 유동전류에 의하여 이 폐루프에 미량의 전류가 유입되어진다. 따라서, 트랜지스터의 컬렉터에서 일정한 전류(전압)이 인가되고, 이 전압은 위의 데이터에서 보듯이 총 인가된 전압보다 저항에서 발생하는 전압강하가 더 큰 현상을 야기시킨다.
4. 실험 회로도 와 시뮬레이션

키워드

트랜지스터,   결과보고서,   베이스,   에미터,   컬렉터,   base,   emittor,   collector