PN 접합 다이오드의 정특성과 스위칭 특성
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본문내용

한다.
이와 같이 다이오드의 저항은 상수가 아니고 전압 또는 전류의 함수가 되는데, 이러한 특성을 비선형성이라고 한다. 물론, 보통의 저항에서는 선형적인 전류-전압 특성 때문에 정저항이나 동저항 값이 같으므로 그 둘을 따로 정의할 필요가 없다. <그림 8>
3. 사용 기기와 부품
오실로스코프
파형 발생기 1개
Digital Multi Meter
BNC Prove 3개
Resistance : 100Ω 1개
다이오드 : 1N4148 1개
Bread Board
4. 실험 내용과 방법
(1) 다이오드 순방향, 역방향 특성 실험 회로
Foreard
Reverse
V(V)
I(mA)
R
V(V)
I(mA)
R
0.1
0

0
0

0.2
0

-5
0

0.3
0

-10
0

0.4
0.01
0.04
-15
0

0.5
0.06
0.0083
-20
0

0.6
0.35
0.0017
-25
0

0.7
3.23
0.000216
-30
0

0.8
12.31
0.0000649
(1) Ge 다이오드를 사용하여 실험 회로를 구성한다.
(2) V를 서서히 증가시켜 가 증가하도록 하면서 관찰한다.
(3) V를 0.1, 0.2, 0.3, 0.4, 0.5, 0.6, 0.7, 0.8로 변화시키면서 를 측정하여 표에 기록한다.
(4) Ge 다이오드의 방향을 바꿔서 연결을 한다.
(5) V를 0, 5, 10, 15, 20, 25, 30V로 변환시키면서 를 측정하여 표에 기록한다.
(6) R=이므로 이식에 실험치를 대입하여 계산하고 기록한다.
5. 측정 결과 및 분석
순방향 bias 일때의 전류-전압 곡선을 실험결과를 토대로 그리고,
전류-전압 특성에 대해 기술하시오.
(1)전류-전압 특성에 대하여...
실험 결과 반도체를 접합시켜서 다이오드로 만들었을때 공핍층이 형성되어 보통때는 전류를 흐르지 않는 부도체로 있다가 순방향으로 전류를 흘려주면 전자가 이동하려고 하는 방향과 이온이 움직이는 방향이 일 치하여 어느 한 순간이 되면 전류가 흐르는 것을 알 수 있었습니다. 위의 그래프에서와 같이 갑자기 전류 가 높아지는 부분을 볼 수 있는데 이것을 전위 장벽이라고 하고 반도체에서는 존재한다는 것을 알았습니 다. 그리고, 다이오드가 순방향일때는 저항이 존재하지만 역방향일 때는 무한대로 나왔습니다.
그 이유는 역방향일 때는 전류가 흐르지 않기 때문에 저항 값은 측정할 수 없을 만큼 크기 때문이라고 생 각되어 집니다.
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  • 페이지수6페이지
  • 등록일2008.06.05
  • 저작시기2008.5
  • 파일형식한글(hwp)
  • 자료번호#467965
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