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5 pspice 시뮬레이션
1) BJT 전류 전압 특성곡선
2) BJT turn-on voltage
3) BJT Ib, Ic, Ie 전류값(시간에 따른)
4) 3) BJT Ib, Ic, Ie 전류값(전압에 따른)
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특성을 이용한 클리퍼와 리미터의 출력
파형까지 말이다. 다이오드의 특성 실험은 기초전자회로실험Ⅱ에서 이미 해본 실험이라서 금방 실험을 마칠 수 있었다. 그리고 나서 클리퍼와 리미터의 파형을 만들어 보았는데 낮은 전압일 때는 사인
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내는데 사용된다.
이와 같이 실제 다이오드의 특성은 이상적인 다이오드의 특성과는 차이가 난다. 실제 다이오드의 특성을 그림 1-3에 나타내었다.
그림 1-3. 실제 다이오드의 전압-전류특성
문턱전압은 다이오드의 종류마다 차이가 나겠지
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1. 실험제목
N-Channel MOSFET 전류/전압 특성 측정
2. 실험목적
N-Channel MOSFET을 기판에 납땜하고, 그를 이용하여 N-Channel MOSFET의 전류/전압특성을 측정한다.
3. 실험장치
- FDC6329L (MOSFET 소자)
- Function Generator, Power Supply
- Oscilloscope
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전압특성을 알아보고, 이것을 그림 4의 다이오드 특성과 비교하라.
2극 진공관을 발명한 사람은 포레스트라는 미국 사람인데, 그리드에 캐소드로부터 마이너스 전압 V를 걸어주면 열전자가 그리드에서 반발되기 때문에 플레이트에는 전자가
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