텅스텐에서 전자가발생하는 원리

목차

1. 텅스텐이란?

2. 전자발생의 원리

3. 결론

본문내용

다. n은 금속에서는 2, 반도체에서는 5/4
이다. 텅스텐은 2700K(W는 4.5정도)이다.
또한 열전자 방출에너지는 W=kT[J] (단, 볼츠만의 상수 k=1.38062×10-23[J/K]
T는 절대온도이다.) 로 계산할수 있다.
3. 결론
물질에서 전자를 떼어내기 위해서는 열이 가해져야 한다. 용융점이 낮은 물질은 전자를 방출하기도 전에 녹아버릴 수도 있고 낮은 온도에서도 전자를 방출하는 물질이 비전도체일 경우에는 전자를 방출하기가 어렵게 된다.
그렇지만 텅스텐은 용융점이 3695K 이나 되지만 열전도율이 (300 K) 173 W/(m·K) 이므로
다른 금속들에 비해 높기 때문에 높은 열에도 녹지 않고 전자를 방출 할 수 있는 것이다.
- 출처-
코리아텅스텐 www.iktm.com
위키백과사전

키워드

텅스텐,   열전자방출,   자유전자,   리처드슨,   필라멘트,   에디슨,   전자방출