[고분자재료실험] 06. ITO Patterning 패터닝 (예비) : OLED/PLED/OTFT/OPV device의 투명전극으로 사용되는 ITO 원하는 pattern으로 식각법 습득, Photo lithography에 사용하는 공정의 원리와 공정 시 주의점 습득

소개글

[고분자재료실험] 06. ITO Patterning 패터닝 (예비) : OLED/PLED/OTFT/OPV device의 투명전극으로 사용되는 ITO 원하는 pattern으로 식각법 습득, Photo lithography에 사용하는 공정의 원리와 공정 시 주의점 습득에 대한 보고서 자료입니다.

목차

1. 실험제목/실험날짜

2. 실험조 및 실험자

3. 실험목적

4. 실험이론 및 배경
　관 계 지 식

5. 기구 및 시약
　5-1. 기구

6. 실험방법

7. 참고문헌

본문내용

2Cl3 + H2O = 2 : 1 : 1
HCl + HNO3 + H2O = 1 : 0.08 : 1 가 쓰인다. [8]
마. ITO 기판
- ITO glass란 투명 기판 위에 ITO 박막을 sputtering 방법으로 코팅한 유리를 말한다. 투명 plastic film 또는 sheet 기판에도 적용이 가능하다. (ITO란 Indium Tin Oxide의 약자로, 투명하면서 전기가 통하는 물질이다) 모든 디스플레이에 공통적으로 사용되고 또한 필수적인 것이 투명전극으로 불리는 ITO glass이다. 이들의 조성은 90ln203-10SnO2 부근으로 보다 높은 투명도와 전도도, 그리고 평탄도를 갖도록 공정 제어가 행해지고 있다. 이들은 디스플레이에서의 투명전극으로의 응용 이외에 열반사막, 대전방지막, EMI 방지막, 면발연체, 광전변환소자 등 다양한 응용처가 있다. [9]
바. Cr-Mask(Photo Mask)
반도체 소자 혹은 집적회로의 구조를 크롬이 칠해진 유리판 위에 형성한 것. 즉, 투명한 석영기판 상층에 도포된 크롬 박막을 이용하여 반도체 집적회로와 LCD 패턴을 실제 크기의 1~5배로 식각해 놓은 제품을 말한다. 사진술을 이용하여 유리판의 구조를 웨이퍼상에 복사함으로써 반도체에 회로가 인쇄된다. [10]
사. Spin-coater
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아. Hot plate
전열기(가열판)는, 밑이 평탄한 플레이트와 가열 요소를 겸비한 전열 응용제품을 말하며, 플레이트에 가열해야 할 물건을 올려놓게 되어있다. 전열기에 의한 화재발생은 일반적으로 불량한 사용상태에서 연속 사용, 방치 또는 불량기구의 사용에 의해 근접한 가연물에 옮겨 붙는 연소사고가 많다. 전열기를 사용하는데 주의사항은 다음과 같다.
(1) 열판(熱板)의 밑 부위에 차열(遮熱)판이 있는 것을 사용할 것.
(2) 점멸(點滅)을 확실하게 하는 것(통전 유무를 표시하는 파일럿 램프를 설치하는 것이 바람직하다).
(3) 인조석, 석면, 벽돌 등의 단열성 불연재료의 깔판을 사용할 것.
(4) 일반 화구(火具)와 같이 주위 30~50㎝, 위쪽 1~1.5m 이내에 가면물을 근접시키지 않을 것.
(5) 배선ㆍ코드 용량에 주의하고 과열을 방지할 것.
(6) 본래의 용도 이외의 목적에 사용하지 않을 것.
(7) 일반 화재와 똑같은 조직적인 관리를 할 것. [11]
자. UV Exposure
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차. Ultra sonic
- 탄성매질 내에서 발생하는 진동 또는 압력파로서 가청주파수인 20 kHz 보다 큰 값의 주파수를 갖는 파를 초음파라 하며, 초음파는 공기 중을 진행하는 음파처럼 종파의 형태 이거나 고체 내에서는 횡파나 전단파가 될 수도 있다. 또한 초음파 중 어떤 것은 고체 표면을 따라서 진행하거나 가느다란 막대기와 물체의 절단면을 따라서 진행하기도 한다. 진폭이 큰 초음파를 액체에 가하면 액체가 기포를 발생하여 급격한 유동이나 전단압력을 유발하는 충격파를 생성할 수도 있다. 이러한 효과는 유탁액의 생산, 물체의 표면 청소, 생물체 구조의 분해, 금속도금 과정의 촉매 등에 이용될 수 있다. [12]
6. 실험방법 :
① ITO 기판의 Cleaning(전처리)
② Spin coater위에 기판을 올려놓고 진공을 잡아 고정시킨 후, photo resister를
뿌려 전면에 고르게 코팅
③ PR coating 후 잔류용매를 제거하고 기판과의 접착력을 높히기 위하여
soft baking(100℃, 10분) 실시
④ 원하는 pattern을 얻기 위해 제작한 photo-mask를 올려놓고 UV 노광
⑤ 노광된 PR을 제거하기 위해 developer에 기판을 담금
⑥ DI water(탈 이온수)로 세척하여 developer를 완전히 제거
⑦ 세척 후 Hot plate에서 hard baking(120℃, 10분)하여 pin hole 제거 및 기판과의
접착력 높임
⑧ ITO etchant에 dipping하여 경과를 보면서 ITO를 식각
⑨ 식각된 부분 이외에 남아있는 PR을 제거하기 위하여 stripper에 dipping하여 제거
* 주의 : PR pattern 과정마다 현미경 관찰과 두께 관찰 필요 [1]
7. 참고문헌 :
[1] - 실험 참고자료
[2] - http://ko.gravity.wikia.com/wiki/%EC%8A%A4%ED%95%80_%EC%BD%94%ED%8C%85
[3] - http://www.intechopen.com/books/nanowires-implementations-and-applications/niobates-nan
owires-synthesis-characterization-and-applications
[4] - http://www.intechopen.com/books/nanowires-implementations-and-applications/niobates-nan
owires-synthesis-characterization-and-applications
[5] - http://terms.naver.com/entry.nhn?docId=508600&cid=42380&categoryId=42380
[6] - http://cafe.naver.com/6cmt/200
[7] - http://blog.naver.com/PostView.nhn?blogId=dhdldh&logNo=20071012435&redirect=Dlog&
widgetTypeCall=true
[8] - http://search.naver.com/search.naver?where=nexearch&query=Sylgard 184&ie=utf8&
sm=tab_she&qdt=0
[9] - http://terms.naver.com/entry.nhn?docId=849972&cid=42346&categoryId=42346
[10] - http://cafe.naver.com/6cmt/200
[11] - http://blog.naver.com/gsisemi2000/40168890880
[12] - http://terms.naver.com/entry.nhn?docId=508600&cid=42380&categoryId=42380

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ITO,   patterning,   패터닝,   예비,   실험,   투명전극,   ITO Patterning,   기판,   공정,   etching,   사용