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본문내용
Inverted Staggered
a-Si:H TFT의 대부분이 이구조를 가지고 있다.
Etch stopper방식과 Back-channel etched 방식이 있다.
SiNx , a-Si:H, n+ a-Si:H 를 한번의 PECVD공정으로 형성이 가능
SiNx 표면에 a-Si 층을 증착하기 때문에 subcutaneous reaction 이 발생되지 않아 상대적으로 우수한 a-Si:H/SiNx 계면층을 얻을 수 있다.
Gate 전극이 채널영역의 active layer 아래에 위치 하기 때문에 별도의 차광층이 필요 없다.
a-Si:H TFT의 대부분이 이구조를 가지고 있다.
Etch stopper방식과 Back-channel etched 방식이 있다.
SiNx , a-Si:H, n+ a-Si:H 를 한번의 PECVD공정으로 형성이 가능
SiNx 표면에 a-Si 층을 증착하기 때문에 subcutaneous reaction 이 발생되지 않아 상대적으로 우수한 a-Si:H/SiNx 계면층을 얻을 수 있다.
Gate 전극이 채널영역의 active layer 아래에 위치 하기 때문에 별도의 차광층이 필요 없다.
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- 페이지수12페이지
- 등록일2010.03.25
- 저작시기2010.3
- 파일형식기타(pptx)
- 자료번호#593954
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