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Inverted Staggered
a-Si:H TFT의 대부분이 이구조를 가지고 있다.
Etch stopper방식과 Back-channel etched 방식이 있다.
SiNx , a-Si:H, n+ a-Si:H 를 한번의 PECVD공정으로 형성이 가능
SiNx 표면에 a-Si 층을 증착하기 때문에 subcutaneous reaction 이 발생되지 않아 상대
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스태거드 세트 훈련원칙
27)스티드 훈련원칙
28)양질훈련원칙
29)스트리핑 훈련원칙
30)본능훈련원칙
자세한건 직접 찾아 보세여~!!
체육지도자가 되려는 목적?
자기가 지니고 있는 체육지식을 일반인에게 보급하여 건전한 사회체육 활동
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